双极型功率晶体.pptVIP

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2025-01-09 发布于上海
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双极型功率晶体.ppt

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上页下页返回模拟电子技术基础上页下页返回模拟电子技术基础双极型功率晶体管（BJT）1.功率管的选择(1)PCM≥0.2Pom(2)|U(BR)CEO|2VCC(3)ICM＞VCC/RC9.3功率器件与散热在互补推挽功率放大电路中,功率管的极限参数应满足以下关系2．二次击穿的影响iCuCEOBA二次击穿一次击穿S/B曲线二次击穿现象二次击穿临界曲线iCuCEO功率MOSFET1.V型NMOS管的结构结构剖面图s源极g栅极金属源极SiO2沟道沟道外延层衬底d漏极_N+PPNN+N+开关速度高01驱动电流小过载能力强易于并联022.V型NMOS管的主要特点IGBT等效电路dT1gsRT2IGBT电路符号gsdT绝缘栅双极型晶体管（IGBT）绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主要特点：(1)输入阻抗高(2)工作速度快(3)通态电阻低(4)阻断电阻高(5)承受电流大兼顾了MOSFET和BJT的优点，成为当前功率半导体器件发展的重要方向。功率器件的散热外壳c集电结j散热器sR(th)jcR(th)csR(th)sa环境a晶体管的散热示意图导电回路（电路）散热回路（热路）参量符号单位参量符号单位电压UV温差ΔToC电流IA最大允许功耗PCMW电阻RΩ热阻RToC/W功率器件的散热分析方法导电回路和散热回路参数对照表电——热模拟法,即用电路来模拟功率器件的散热回路。Tj——集电结的结温Tc——功率管的壳温Ts——散热器温度Ta——环境温度Rjc——集电结到管壳的热阻Rcs——管壳至散热片的热阻Rsa——散热片至环境的热阻散热等效热路TjTcTsTaRjcRcsRsajcsaPCM上页下页返回模拟电子技术基础上页下页返回模拟电子技术基础*