盾构电工技术应用二极管和三极管结构分类和特性26课件讲解.pptx

盾构电工技术应用地下与隧道工程技术专业教学资源库Undergroundandtunnelengineeringtechnology二极管和三极管结构、分类和特性城轨工程学院（盾构教研室）主讲人：周江涛

二极管和三极管的结构、分类和特性1、掌握二极管和三极管的分类；2、掌握二极管和三极管的结构；3、掌握二极管和三极管的特性。教学目标

二极管和三极管的分类、结构和特性常用二极管的符号、结构和外形一、二极管的分类

二极管和三极管的分类、结构和特性一、二极管的分类(1)按材料分硅管锗管

二极管和三极管的分类、结构和特性一、二极管的分类普通二极管整流二极管稳压二极管（2）按用途来分

二极管和三极管的分类、结构和特性一、二极管的分类(3)按结构分点接触型面接触型硅平面型

二极管和三极管的分类、结构和特性二、二极管的结构半导体二极管是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。由P区引出的电极成为阳极，N区引出的电极成为阴极。因为PN结具有单向导电性，所以由其做成的二极管也具有单向导电性。二极管导通时，电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。

二极管和三极管的分类、结构和特性三、二极管的伏安特性正向特性：二极管外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。当正向电压超过一定数值时，才有明显的正向电流，这个电压值成为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.2V。当正向电压大于死区电压后，正向电流迅速增长，曲线接近上升直线，在伏安特性这一部分，当电流迅速增加时，二极管的正向压降变化很小，硅管的正向压降约为0.6～0.7V，锗管的正向压降约为0.2～0.3V。二极管的伏安特性对温度很敏感，温度升高时，正向特性曲线左移，对应同样大小的正向电流，正向压降随温升而减小。研究表明，温度每升高10℃，二极管的正向压降减小2mV。

二极管和三极管的分类、结构和特性三、二极管的伏安特性反向特性：二极管加上反向电压时，形成很小的反向电流，且在一定电流下它的数量基本维持不变。因此，当反向电压在一定范围内增大时，反向电流的大小基本恒定，而与反向电压大小无关，故称为反向饱和电流。一般小功率锗管的反向电流可达几十微安，而小功率硅管的反向电流要小的多，一般在0.1μA以下。当温度升高时，少数载流子数目增加，使反向电流增大，特性曲线下移。在实际应用中，该电流越小越好。当二极管的外加反向电压大于一定数值（反向击穿）时，反向电流突然急剧增加称为二极管的反向击穿。反向击穿电压一般在几十伏以上。

二极管和三极管的分类、结构和特性四、三极管的基本结构和类型晶体管的几种常见外形

二极管和三极管的分类、结构和特性半导体三极管称为晶体三极管，又称为双极型晶体管，简称BJT。BJT是由两个PN结组成的。三极管按功率大小可分为大功率管和小功率管，按电路中的工作频率可分为高频管和低频管，按半导体材料不同可分为硅管和锗管，按结构不同分为NPN型管和PNP型管。三极管分为三个区，分别为发射区、基区和集电区，由三个区各引出一个电极，分别为发射极（E）、基极（B）和集电极（C），发射区和基区之间的PN结成为发射结，集电区和基区之间的PN结成为集电结。特点：一是发射区掺杂浓度大于集电区掺杂浓度，集电区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度；二是基区很薄，一般只有几微米；三是集电区的截面积大，使得发射区与集电区不可互换。四、三极管的基本结构和类型

小结按用途分按结构分小结按材料分二极管的分类二极管的结构二极管的伏安特性三极管的基本结构和类型

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