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第三章门电路;内容提要;§3.1概述;S开---vo输出高电平,对应‘1’。
S合---vo输出低电平,对应‘0’。;5、数字电路的开展;6、数字集成电路的分类;2、按制造工艺分:双极型IC、单极型IC和混合型IC。;;图3.2.3二极管伏安特性的几种近似方法;图3.2.4二极管的动态电流波形;0.7V;0V;1、MOS场效应管的类型及特性;图3.3.1N沟道增强型MOS管的结构和符号;图3.3.2N沟导MOS管共源接法及其输出特性曲线
(a)共源接法(b)输出特性曲线;图3.3.3NMOS管的转移特性曲线;图3.3.4NMOS管的根本开关电路;图3.3.5MOS管的开关等效电路
(a)截止状态(b)导通状态;图3.3.6P沟道增强型MOS管;图3.3.7P沟道增强型MOS管的漏极特性;图3.3.8用P沟道增强型MOS管接成的开关电路;2、MOSFET的开关作用;3.3.2CMOS反相器的电路结构和工作原理;‘0’
(0V);‘0’
(0V);0V;图3.3.12CMOS反相器的电压传输特性;图3.3.12CMOS反相器的电压传输特性;图3.3.13CMOS反相器的电流传输特性;三、输入端噪声容限;图3.3.15CMOS反相器输入噪声容限与VDD的关系
(a)不同VDD下的电压传输特性(b)噪声容限随VDD的变化曲线;3.3.3CMOS反相器的静态输入特性和输出特性;图3.3.16CMOS反相器的输入保护电路
〔a〕CC4000系列的输入保护电路〔b〕74HC系列的输入保护电路;图3.3.17CMOS反相器的输入特性
〔a〕图3.3.16(a)电路的输入特性〔b〕图3.3.16(b)电路的输入特性;图3.3.18vO=VOL时CMOS反相器的工作状态;图3.3.20vO=VOH时CMOS反相器的工作状态;3.3.4CMOS反相器的动态特性;当输入信号为窄脉冲,而且脉冲宽度接近于门电路传输延迟时间的情况下,为使输出状态改变所需要的脉冲幅度将远大于直流信号幅度。;图3.3.23CMOS反相器的交流噪声容限;三、动态功耗;图3.3.25CMOS反相器的瞬时导通电流;图3.3.26CMOS反相器的静态漏电流
〔a〕vI=0〔b〕vI=VDD;例:计算CMOS反相器的总功耗PTOT。电源电压VDD=5V,静态电源电流IDD=1μA,负载电容CL=100pF,功耗电容CPD=20pF。输入信号近似于理想的矩形波,重复频率f=100kHz。;3.3.5其他类型的CMOS门电路;2.CMOS或非门电路;3、带缓冲级的CMOS门电路;二、漏极开路输出门电路〔OD门〕;1、输出电平变换;Y=Y1?Y2?Y3;3、外接电阻阻值的计算;(b)外接电阻最小值;◆例〔P96〕。
◆为什么MOS门电路计算RL时负载门不管是高电平还是低电平输入负载电流数目均采用输入端数?
即m=m’=并接的输入端数;三、CMOS传输门;2、工作原理:;3、CMOS传输门的作用:;四、三态输出的CMOS门电路〔TS门〕;CMOS三态门电路结构之一;三态门电路应用1;三态门应用2-实现数据的双向传输;3.3.6CMOS电路的正确使用;图3.3.43输入端接大电容时的防护;*三、防止锁定效应;3.3.7CMOS数字集成电路的各种系列;参数名称;;2、是电压控制元件,静态功耗小。;§3.5TTL门电路;3.5.1双极型三极管的开关特性;图3.5.3双极型三极管的根本开关电路;五、双极型三极管的动态开关特性;六、三极管反相器;2)为了保证在输入高电平时三极管工作在深度饱和状态,以使输出电平接近零,电路的参数必须适宜,以保证IBIBS〔饱和基极电流〕。;1)当vI=VIL=0V时:;三极管工作在深度饱和状态。;3.5.2TTL反相器的电路结构和工作原理;;;;图3.5.10TTL反相器的电压传输特性;uo(V);三、输入端噪声容限;3.5.3TTL反相器的静态输入特性和输出特性;二、输出特性—高电平输出特性;二、输出特性—低电平输出特性;输入输出特性总结;应用举例:例;三、输入端负载特性;1;例在图电路中,为保证G1门输出的高、低电平能正常的传送到G2门的输入端,要求vO1=VOH时vI2≥VIH(min),vO1=VOL时vI2≤VIL(max),试计算RP的最大允许值。G1和G2均为74系列的反相器,VCC=5V,VOH=3.4V,VOL
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