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第3章频率变换器件;
3.1概述;
习惯上,将频谱搬移过程主要由非线性电阻完成、核心元件是非线性电阻的频率变换器称为阻性变频器,而将频谱搬移过程主要由非线性电抗完成、核心元件是非线性电容的频率变换器称为参量变频器。在某些情况下,还可以采用微波场效应管如MESFET等实现频率变换。
频率变换器按照功能的不同,可进一步划分为混频器(又称下变频器)、上变频器和倍频器。下面将分别介绍这三种频率变换器。;
3.2混频器;
图3-1(a)中两个输入信号即角频率为ωs的信号与角频率为ωL的本地振荡信号(简称本振)加到非线性元件上,经过非线性元件的变换,产生角频率为ωs和ωL的各种谐波组合频率分量信号,通过滤波器,输出角频率为ωif=ωs-ωL(ωL<ωs)或者ωif=ωL-ωs(ωs<ωL)的信号,完成下变频功能。角频率为ωif的信号一般称为中频信号。频谱搬移示意图如图3-1(b)所示(ωs<ωL),图中省略了各种寄生谱线。;
;
混频器通常用于超外差接收机中。如图3-2所示,射频信号在本振信号的作用下搬移到中频形成中频信号,在中频实现信号的放大、解调、处理等功能。微波超外差接收机常用于雷达接收机、广播电视终端、通信接收机中。;
;
3.2.2混频器的主要技术指标
1.变频损耗
混频器的变频损耗(Lm)定义为输入射频/微波信号的资用功率(Ps)与输出中频信号的资用功率(Pif)之比,即
若用分贝表示,则为;
2.噪声系数
混频器是非线性器件,存在多个频率,是多频率多端口网络。为适应多频率多端口网络噪声分析,混频器中噪声系数的定义为
式中:Pno为当系统输入端噪声温度在所有频率上都是标准温度T0=290K时,系统传输到输出端的总噪声资用功率;Pns为仅由输入有用信号所产生的那一部分输出的噪声资用功率。;
根据混频器的具体用途,噪声系数分为以下两种:
(1)单边带噪声系数。在微波通信系统的混频器中,频率为fs的有用信号,只存在一个信号边带,其噪声系数称为单边带噪声系数。
(2)双边带噪声系数。在遥感探??、射电天文等领域,接收信号是均匀谱辐射信号,存在两个信号边带,其噪声系数称为双边带噪声系数。;
3.隔离度
隔离度定义为本振或信号泄漏到其他端口的功率与原有功率之比,单位为dB。混频器的隔离度是指各频率端口之间的隔离度,该指标包括三项:信号与本振的隔离度,信号与中频的隔离度,本振与中频的隔离度。
信号与中频的隔离度是指输入到混频器的信号功率Ps与在中频端口测得的信号功率Pifs之比。本振与中频的隔离度是指输入到混频器本振端口的功率PL与在中频端口测得的本振功率PifL之比。;
信号与本振的隔离度(LsL)定义为输入到混频器的信号功率(Ps)与在本振端口测得的信号功率(PLs)之比,即
若用分贝表示,则为;
4.端口驻波比
端口驻波比是混频器各端口的电压驻波比,描述的是混频器端口的匹配特性。混频器端口的匹配特性常常受许多因素影响。宽频带混频器不仅要求电路和混频管高度平衡,还要有很好的端口隔离,因此其端口驻波比很难达到高指标。比如中频端口失配,其反射波再混频成信号,可能使端口驻波比变差,而且本振功率漂动会同时使三个端口驻波比发生变化。例如,本振功率变化4~5dB时,混频管阻抗可能由50Ω变到100Ω,从而引起三个端口驻波比同时出现明显变化。所以,混频器端口驻波比指标一般在2~2.5量级。;
5.中频输出阻抗
70MHz中频的输出阻抗大多是200~400Ω。中频阻抗的匹配好坏也影响变频损耗。中频频率不同时,输出阻抗差别很大,有些微波高频段混频器的中频是1GHz左右,其输出阻抗低于100Ω。;
6.动态范围
动态范围是指使混频器有效工作的输入信号的功率范围。
动态范围的下限通常指信号与基噪声电平相比拟时的功率。实际混频器中,有时出现动态范围下限恶化,主要是由于混频器的组合谐波泄漏到输出端,以及二阶交调产物和三阶交调产物构成虚假基噪声,使下限上升。通过提高本振至中频的隔离度及加强中频端口滤波等措施可适当改善动态范围下限恶化的现象。;
动态范围的上限受输出中频信号的饱和功率所限,通常是指1dB压缩点的微波输入功率。混频器动态范围曲线如图3-3所示。图中,动态范围从Pin,mds到Pin,1dB,Pin,mds为混频器输出的最小可辨信号对应的输入功率,Pin,1dB为混频器1dB压缩点时对应的输入功率。;
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动态范围也可以用dB表示,即
本振功率增加时,1dB压缩点值也随
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