雷达射频微波器件及电路 课件 第6章 微波控制器件.pptx

第6章微波控制器件;

6.1概述;

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对应不同的用途，微波控制器件的种类有以下三种：

(1)控制微波信号传输路径通断或转换的器件，如微波开关、脉冲调制器等。

(2)控制微波信号大小的器件，如电调衰减器、限幅器、幅度调制器等。

(3)控制微波信号相位的器件，如数字移相器、调相器等。;

微波控制电路的各种控制功能是通过控制元件实现的。目前采用的控制元件主要是微波半导体器件和微波铁氧体器件。由于半导体器件具有控制功率小、控制速度快以及体积小、重量轻等优点，因此它在微波控制电路中的应用要比铁氧体器件广泛得多。微波半导体器件主要有PIN二极管(简称PIN管)、变容二极管和肖特基二极管等。由于PIN管具有可控功率大、损耗小以及在正反向偏置下都能得到近似短路和开路的特性，所以在绝大多数的控制电路中都采用PIN管。鉴于这种情况，本章只讨论PIN管控制器件。而各种类型的PIN管控制器件，就其本质来讲，都是利用PIN管的阻抗变化特性实现控制功能的，故本章首先介绍PIN管的特性，然后介绍用PIN管构成的几种微波控制器件。;

6.2PIN二极管;

图6-2(a)所示是台式结构PIN管，通常封装在圆柱形管壳中，适用于微带电路中的并联结构，需在微带基片上打孔镶嵌，也有的封装成平面引线结构，适用于串联结构。梁式引线平面结构PIN管如图6-2(b)所示，也适用于串联结构，它属于无封装结构，没有管壳分布参数的有害影响，可以用于微波高频段。;

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1.不同外加电压作用下PIN管的特性

1)直流电压作用下PIN管的特性

PIN管的直流伏安特性与PN结二极管的类似。PIN管的阻抗随外加偏置电压(偏压)而变化，直流电压作用下PIN管的伏安特性曲线如图6-3所示。由图6-3可见，当偏压为正时，PIN管的电流增加，阻抗降低；当偏压为负时(即反向偏压时)，PIN管的电流很小，阻抗变大。;

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2)交流电压作用下PIN管的特性

PIN管在交流电压作用下的特性与频率有关。

在低频段，由于交流信号的周期很长，载流子进出I层的渡越时间与之相比可以忽略，因此，PIN管在交流信号正半周的特性与施加正向直流偏压时的特性相同，呈现低阻抗特性，在交流信号负半周的特性与施加反向直流偏压时的特性相同，呈现高阻抗特性。所以，PIN管在低频段类似于普通PN结二极管，具有明显的单向导电性，可作为整流元件。PIN管在低频交流电压作用下的单向导电性如图6-4所示。;

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随着信号频率的升高，PIN管的单向导电性逐渐降低，整流作用逐渐变弱。最后，当信号频率足够高时，如100MHz，PIN管在交流信号正半周的阻抗与负半周时的基本相同，此时整流作用完全消失，PIN管类似一个线性元件。;

这是因为信号频率足够高时，周期很短，当正半周电压加在PIN管上时，正负载流子由P+、N+层向I层流入，当正负载流子还未复合时，外加电压极性已经改变，即外加电压变成了负半周，在反向电压作用下，正负载流子又从I层返回P+、N+层，即有大的反向电流流过PIN管，由于外加电压周期很短，载流子注入I层和返回P+、N+层很快，但是注入和返回过程又都不是完全的，I层始终含有相当数量的载流子，因此PIN管既不是完全导电也不是完全截止的。在高频交流电压作用下PIN管整流失效示意图如图6-5所示。;

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3)交直流电压作用下PIN管的特性

图6-6所示为微波信号作用在正偏PIN管的情况。下面结合图6-6分情况讨论。;

首先，考虑只有正向偏置(正偏)的情况。PIN管正偏时，呈低阻抗状态，其量值决定于偏置电流I0。

其次，考虑加入微波信号后的情况。设微波信号电流为i1=I1Sinωt，则总的瞬时电流为i1=I0+I1Sinωt。

当微波信号电流的振幅小于偏置电流(I1＜I0)时，无论微波信号处于正半周还是负半周，i始终大于零。因此，PIN管在小信号工作时，呈低阻抗的导通状态。;

PIN管在大信号工作时，微波信号电流的振幅可远大于直流偏置电流，即I1?I0，此时从图6-6-表面看来，似乎在微波信号的负半周，PIN管内无电流通过，而处于截止状态，其实不然。因为在I0的作用下，I层内已有储存电荷Q0，只要微波信号的频率足够高，在信号负半周，I层减少的电荷量可远小于Q0。换句话说，在信号负半周，尽管由于反向电压的作用，将有部分载流子从I层中被“吸出”，使I层的储存电荷有所减少，但只要微波信号频率足够高，I层仍有足够多的储存电荷可以维持PIN管的导通状态。;

可以证明只要很小的正向偏置电流，就可使很大的微波信号