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芯片工艺培训讲义2023REPORTING

芯片工艺概述芯片制造基础芯片加工技术芯片封装与测试芯片工艺中的关键材料芯片工艺发展趋势与挑战目录CATALOGUE2023

PART01芯片工艺概述2023REPORTING

芯片工艺是指将电子元器件集成到微型芯片上的制造过程，涉及材料、设备、工艺等多个方面。定义根据加工方式和材料不同，芯片工艺可分为硅基工艺、化合物半导体工艺、MEMS工艺等。分类芯片工艺定义与分类

以真空管为主要元件，体积庞大且效率低下。早期阶段1947年晶体管发明，奠定了现代电子工业基础。晶体管时代1958年集成电路诞生，实现了电子元器件的微型化。集成电路时代1970年代至今，芯片上集成的元器件数量不断增加，性能不断提升。超大规模集成电路时代芯片工艺发展历程

芯片工艺的发展推动了计算机、通信、消费电子等领域的技术创新。推动技术创新促进产业升级提升国家竞争力芯片工艺的进步带动了整个电子信息产业的升级和变革。芯片作为现代信息技术的核心，其工艺水平直接影响一个国家的科技实力和竞争力。030201芯片工艺重要性

PART02芯片制造基础2023REPORTING

根据芯片性能要求，选择合适的晶圆材料，如硅、锗等。晶圆材料选择去除晶圆表面的杂质和污染物，保证后续工艺的顺利进行。晶圆清洗将大尺寸晶圆切割成适合芯片制造的小尺寸晶圆。晶圆切割晶圆制备

根据芯片电路图，设计相应的掩膜版图案。掩膜版设计利用高精度设备将设计好的图案转移到掩膜版上。掩膜版制作对制作好的掩膜版进行质量检查，确保图案完整、精度符合要求。掩膜版检测掩膜版制作

光刻技术光刻机原理介绍光刻机的工作原理和主要组成部分。光刻胶涂覆在晶圆表面涂覆一层光刻胶，为后续曝光做准备。曝光与显影利用掩膜版对晶圆进行曝光，然后通过显影去除多余的光刻胶，形成电路图案。

湿法刻蚀使用化学溶液对晶圆进行湿法刻蚀，去除多余的材料。干法刻蚀利用等离子体等干法刻蚀技术，对晶圆表面进行刻蚀，形成电路结构。刻蚀质量控制通过检测刻蚀深度、侧壁角度等指标，确保刻蚀质量符合要求。刻蚀技术

PART03芯片加工技术2023REPORTING

123利用化学反应在芯片表面沉积一层薄膜，广泛应用于绝缘层、金属层等薄膜的制备。化学气相沉积（CVD）通过物理过程如蒸发、溅射等在芯片表面沉积薄膜，常用于金属导线、电极等结构的制作。物理气相沉积（PVD）一种特殊的CVD技术，通过交替通入不同的前驱体气体，在芯片表面逐层沉积薄膜，可实现纳米级别的精确控制。原子层沉积（ALD）薄膜沉积

离子源产生并加速离子束的装置，通常采用气体放电或固体材料溅射方式产生离子。离子束经过加速、聚焦和扫描后的离子束，用于对芯片进行注入。注入能量和剂量影响离子注入效果的关键参数，需根据芯片材料和设计要求进行精确控制。离子注入

03合金化通过热处理使芯片中的金属元素与硅形成合金，提高金属层的导电性能和机械强度。01退火消除芯片加工过程中产生的应力、改善材料性能的一种热处理工艺，包括快速热退火和激光退火等。02氧化在高温下使芯片表面的硅与氧气反应生成二氧化硅，用于制作绝缘层或改善芯片表面性质。热处理

利用研磨剂和研磨工具对芯片表面进行研磨，去除表面损伤层和污染物，提高表面光洁度。研磨采用化学机械抛光（CMP）技术，通过化学反应和机械摩擦的共同作用，实现芯片表面的全局平坦化。抛光在抛光后对芯片进行清洗，去除残留物和杂质，确保芯片表面的洁净度。清洗机械抛光

PART04芯片封装与测试2023REPORTING

封装类型DIP双列直插式封装SOP小外形封装芯片封装类型及流程

QFP四边引出扁平封装BGA球栅阵列封装封装流程芯片封装类型及流程

芯片准备封装材料准备封装工艺后处理芯片封装类型及流芯片进行外观检查、电性能测试等。准备封装所需的引线框架、基板、塑封料等。包括芯片粘贴、引线键合、塑封等步骤。对封装完成的芯片进行去飞边、电镀、打标等处理。

直流参数测试测试芯片的电压、电流等直流参数。交流参数测试测试芯片的频率响应、噪声等交流参数。芯片测试方法及标准

功能测试：对芯片的逻辑功能进行测试。芯片测试方法及标准

国际标准各国制定的芯片测试标准，如中国的GB标准。国家标准企业标准芯片制造商根据产品特性制定的内部测试标准。如IEEE、JEDEC等制定的芯片测试标准。芯片测试方法及标准

用于将芯片粘贴到引线框架或基板上。用于实现芯片与引线框架之间的电气连接。封装与测试设备介绍键合机贴片机

塑封机用于将芯片进行塑封保护。测试仪用于对芯片的电气参数进行测试。封装与测试设备介绍

封装与测试设备介绍老化试验箱用于模拟芯片在长时间工作后的性能变化。可靠性试验设备用于对芯片进行环境适应性、机械应力等方面的可靠性测试。

PART05芯片工艺中的