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T/ZACAXXXXX—2022
半导体器件间歇工作寿命试验设备
1范围
本文件规定了半导体集成电路间歇工作寿命试验设备（以下简称寿命试验设备）的术语和定义、基
本参数、技术要求、试验方法、检验规则、标志、使用说明书、包装、运输和贮存。
本文件适用于Si/SiC二极管、三极管、MOSFET/IGBT等器件的间歇工作寿命试验设备。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T191包装储运图示标志
GB/T4793.1测量、控制和实验室用电气设备的安全要求第1部分：通用要求
GB/T5170.2—2017电工电子产品环境试验设备检验方法温度试验设备
GB/T6587—2012电子测量仪器通用规范
GB/T9969工业产品使用说明书总则
GB/T17626.2电磁兼容性试验和测量技术静电放电抗扰度试验
GB/T17626.3电磁兼容性试验和测量技术射频电磁场辐射抗扰度试验
GB/T17626.4电磁兼容性试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验
GB/T17626.5电磁兼容性试验和测量技术浪涌（冲击）抗扰度试验
GB/T17626.6电磁兼容性试验和测量技术射频场感应的传导骚扰抗扰度
GB/T17626.8电磁兼容性试验和测量技术工频磁场抗扰度试验
GB/T17626.11电磁兼容性试验和测量技术电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验
GB/T18268.1测量、控制和实验室用的电设备电磁兼容性要求第1部分：通用要求
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
半导体器件间歇工作寿命试验设备intermittentworkinglifetestequipmentfor
semiconductorintegrateddevices
2
T/ZACAXXXXX—2022
对各种封装形式的Si/SiC二极管、三极管、MOSFET/IGBT等器件的进行间歇寿命或稳态寿命的试验
设备。
4基本参数
检测系统基本参数应符合表1的规定。
表1检测系统基本参数
项目
I类
II类
额定电压（V）
AC220
AC220
额定电流（A）
16
16
额定功率（kW）
8
16
频率（Hz）
55
55
试验通道（个）
8
16
试验容量（只）
48×8
48×16
试验电源（路）
8
16
外形尺寸（mm）
W1140×H1820×D1060
W1620×H1820×D1320
重量（kg）
400
800
5技术要求
5.1工作环境
寿命试验设备工作环境应符合下列要求：
a）环境温度：5℃~35℃;
b）相对湿度：≤80%RH；
c）大气压强：86kPa～106kPa；
d）电网电压：AC220V±10%；
e）电网频率：50Hz±8Hz。
f）周围无强磁场干扰和有害气体侵蚀；
g）周围无强烈振动，无其他热源直接辐射。
5.2外观结构
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T/ZACAXXXXX—2022
5.2.1设备外壳不得有明显斑点、划痕、色斑等缺陷，应无危害安装、正常使用或维护的尖端或锐边。
5.2.2设备接插件插头绝缘应无任何破损，并接插稳固。
5.2.3设备开关及按键应灵活可靠，零部件装配应牢固，无卡涩、松动现象。
5.2.4试验通道应光滑平整、无变形、损失，箱门应开关灵活，闭合紧密。
5.2.5设备整体尺寸应符合设计图纸要求，尺寸偏差应为±5mm。
5.2.6说明性文字、符号、标志应清晰、耐久。
5.3性能要求
5.3.1检测板性能
试验通道检测板性能应符合表2的规定。
表2检测板性能
项目
要求
加热电流控制范围（A）
0～20
加热电流控制分辨率（mA）
10
加热电流控制精度（mA）
1%±10
测试电流（mA）
10
测试电流精度（mA）
±0.02
测试脉冲宽度us
400
加热电流检测范围（A）
0～20
加热电流检测分辨率（mA）
10
加热电流检测控制精度（mA）
1%±0.20
VF检测范围（V）
0～4.000
VF检测分辨率（V）
0.001
VF检测精度（V）
0.2%±0.001
5.3.2试验电源性能
试验电源应为稳压稳流直流电源，最大输出电流67A。应具有过压、过流、短路、过热等保护功能。
5.3.3检测系统软件性能
系统软件性能应符合表3的规定。
表3软件性能
项目
要求
加热电流IH可调
每路加热电流IH可调，调整区间
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