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2025-01-14 发布于北京
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MitigationMethodsforParasiticTurn-on

effectduetoMillerCapacitor

WhitePaper

IntroductionParasiticTurn-onMitigationSolutions

OneofthecommonproblemsfacedwhenswitchingTherearethreeclassicalsolutionstotheaboveproblem;

anIGBTisparasiticturn-onduetoMillercapacitor.Thisthefirstbeingtovarythegateresistor(Figure2),second

effectisnoticeableinsinglesupplygatedriver(0totoaddacapacitorbetweengateandemitter(Figure

+15V).Duetothisgate-collectorcoupling,ahighdV/3)andthirdtousenegativegatedrive(Figure4).A

dttransientcreatedduringIGBTturn-offcaninducefourthsimpleandeffectivesolutionistheActiveClamp

parasiticturn-on(Gatevoltage,VGE)whichispotentiallytechnique(Figure5).

dangerous(Figure1).

+HVDCSeparategateresistorforturn-onandturn-off

Theon-gateresistor,RGONinfluencesthevoltageand

currentchangeduringIGBTturn-on.Increasingthis

DRIVERS1resistorreducesthevoltageandcurrentchangesbut

increasesswitchinglosses.

ICG=CCG*dVCE/dtParasiticturn-oncanbepreventedbyreducingtheoff-

MillerCapacitorCCGgateresistor,RGOFF.T

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