《磁随机存储芯片可靠性试验方法（第1-6部分）》系列团体标准征求意见稿.pdf

ICS点击此处添加ICS号

CCS点击此处添加CCS号

团体标准

T/XXXXXXX—XXXX

磁随机存储芯片可靠性试验方法

第1部分：可靠性鉴定及质量一致性试验

Testmethodsforreliabilityofmagneticrandomaccessmemory

Part1:Testforqualificationofreliabilityandconsistenceofquality

（本草案完成时间：2023/1/9）

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

  发布

T/

FORMTEXT

XXX

FORMTEXT

XXXX

—

FORMTEXT

XXXX

前言

《磁随机存储芯片可靠性试验方法》由以下部分组成：

——第1部分：可靠性鉴定及质量一致性试验；

——第2部分：重复写入次数试验；

——第3部分：高温数据保存试验；

——第4部分：静磁场数据保存试验；

——第5部分：静磁场数据写入试验；

——第6部分：读干扰率试验。

本部分为第1部分。

本部分按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由浙江省半导体行业协会提出并归口。

本文件主要起草单位：浙江驰拓科技有限公司。

本文件参与起草单位：杭州旗捷科技有限公司、杭州华澜微电子股份有限公司、浙江中控研究院

有限公司、上海矽朋微电子有限公司。

本文件主要起草人：鲁鹏棋、杨晓蕾、方伟、何世坤、应建房、成晓雄、谢灿华、谢进、丁志扬。

本文件由浙江省半导体行业协会负责解释。

II

T/

FORMTEXT

XXX

FORMTEXT

XXXX

—

FORMTEXT

XXXX

磁随机存储芯片可靠性试验方法

第1部分：可靠性鉴定及质量一致性试验

1范围

本文件描述了磁随机存储芯片可靠性的鉴定和质量一致性试验规范。

本文件适用于磁随机存储芯片可靠性的评价、考核。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T12750-2006半导体器件集成电路第11部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路）

GB/T4937半导体器件机械与气候试验方法

3术语和定义

本文件没有需要界定的术语和定义。

4检验规则

一般要求

产品须经检验合格方能出厂，并附有证明产品质量合格的文件或标记。

质量评定类别

磁随机存储芯片的质量评定类别参考GB/T12750-2006第7节要求，对各类别的最低要求如下：

——I类：该类符合A组、B组逐批检验要求及C组周期检验要求。

——II类：该类符合A组、B组逐批检验要求及C、D组周期检验要求。

——III类：该类进行100%筛选，并符合A组、B组逐批检验要求及C、D组周期检验要求。

抽样要求

抽样按照GB/T12750-2006第9节表8、表9要求进行。

检验批构成

一个检验批应该由相同类型、在基本相同的条件下，采用相同原材料和工艺生产、并在