20140923 第二章 线缺陷.pptVIP

材料科学基础

3.线缺陷－位错

位错：晶体中某处一列或若干列原子有规律的错排。

位错是晶体中普遍存在的线缺陷，它的特点是

在一维方向的尺寸较长，另外二维方向上尺寸很小，

从宏观看位错是线状的。从微观角度看，位错是管状

的。位错对晶体的生长、扩散、相变、塑性变形、断

裂等许多物理、化学性质及力学性质都有很大影响。

因此位错是材料科学基础中一个重要内容。

图2-4电子显微镜下

观察到的位错线

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•位错理论是上个世纪材料科学最杰出

的成就之一。

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刚性假说

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Ø实际强度与理论强度相差2～4个数

量级.

Ø原子内部排列不是完全规则

Ø滑移不是两个原子面之间的集体的

相对运动。

Ø内部存在缺陷，这种缺陷就是位错。

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3.2位错的基本类型和特征

Ø位错的类型：

刃型位错（edgedislocation）

螺型位错（screwdislocation）

混合位错（mixeddislocation）

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3.3晶体局部滑移造成的刃型位错

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刃型位错立体示意图

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刃型位错的几何特征：

(1)位错线与其滑移矢量d垂直，刃型位错可以为任意形

状的曲线。

(2)有多余半原子面。

习惯上，把多余半原子面在滑移面以上的位错称为

正刃型位错，用符号“┻”表示，反之为负刃型位错，

用“┳”表示。刃型位错周围的点阵畸变关于半原子

面左右对称。

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Ø(3)滑移面必须是同时包含有位错线和滑移矢量的平

面。位错线与滑移矢量互相垂直,它们构成平面只有

一个。

Ø(4)晶体中存在刃位错后,位错周围的点阵发生弹性

畸变,既有正应变,也有负应变。点阵畸变相对于多余

半原子面是左右对称的，其程度随距位错线距离增大

而减小。就正刃型位错而言,上方受压,下方受拉。

Ø(5)在位错线周围的畸变区每个原子具有较大的平均

能量。畸变区是一个狭长的管道。

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GaN晶体中刃型位错的高分辨电子显微像

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3.4螺型位错

Ø(1)螺型位错（screwislocation）的图示

Ø

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螺型位错示意图

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Ø螺位错具有如下的几何特征：

Ø(1)螺位错线与其滑移矢量d平行，故纯螺位错只能

是直线。

Ø(2)螺位错没有多余原子面，它周围只引起切应变

而无体应变。

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位错的性质：

•形状：不一定是直线，位错及其畸变区是一条管道。

•是已滑移区与未滑移区的边界。

•不能中断于晶体内部。可在表面露头，或中止于晶界和

相界，或与其它位错相交，或自行封闭成环。

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位错密度

（1）位错密度的定义：

•单位体积中包含的位错线的总长度，用表示：

ρv

＝

ρvL/V

L为位错线的总长度，V为晶体体积。

Ø穿过单位截面面积的位错线数目，用表示：

ρs

＝

ρsn/S