2025年半导体工艺设备污染控制.pdfVIP

操千曲尔后晓声，观千剑尔后识器。——刘勰

半导体工艺设备污染控制

摘要：半导体被称为制造业皇冠上的明珠，半导体产业是信息技术产业的核

心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，其技

术水平和发展规模已成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志之一。

半导体设备的沾污的控制，直接影响到半导体前道制程的先进性，基于此方向，

分享一下半导体设备沾污的来源及控制的方法。

关键词：半导体；硅片；沾污；集成电路；晶圆；缺陷；掩模板；

1、引言一片硅片表面有多个微芯片，每个微芯片又有数以百万计的器件和

互联线路，他们对沾污物都非常敏感。一直以来，芯片的关键尺寸为适应更高性

能和更高集成度的要求而缩小，控制晶圆表面沾污的需求变得越来越关键。这些

沾污的来源主要是由于空气和设备中存在的微粒、金属离子、化学物质、静电等，

在半导体工艺制造的过程中，这些沾污会落到半导体晶片和掩模板上，不但影响

器件关键尺寸的缩小，还会导致集成电路中的器件产生缺陷，影响器件工艺良率、

器件性能以及可靠性，进而导致集成电路失效。比如，尘埃粒子进入栅氧化层会

增加其电导率，降低击穿电压，导致器件失效。在光刻工艺领域，尤其是前道制

程的光刻领域，如果尘埃粒子粘附在光掩模板表面，如同在掩模板上增加了不透

光的图形，尘埃的形状和掩模板上的电路图形，会被一起转移到要被光刻的晶圆

上，导致电路失效。

2、污染的种类半导体器件，尤其是高密度的集成电路，容易受到各种污染

的损害，器件对污染的敏感度，取决于较小的特征图形尺寸和晶片表面沉积层的

厚度。在净化间内的污染大致可分为颗粒、金属离子、有机物沾污、自然氧化层

以及静电释放。颗粒污染，在半导体芯片的制造过程中，可以接收的颗粒尺寸

的粗略计算法则是它必须小于最小器件特征尺寸的一半。如果将颗粒细分，还可

以分为粉尘、固态雾、烟、微生物、液态雾等。其中粉尘来源广泛，大多是固态

有机或无机物。固态雾是固态物质经过熔融之后，在蒸发和凝结之后而形成的颗

粒，与粉尘区别在于凝聚力强。液态雾是液体蒸汽凝结或化学品反应产生后的细

勿以恶小而为之，勿以善小而不为。——刘备

小液滴。金属离子，来源于化学溶液或者半导体设备制造中的各种工序。在半

导体器件的晶片上N型和P型的掺杂区域及其相邻区域，都需要可以控制的电阻

率。通过在晶体和晶圆中有目的的掺杂特定的离子，来实现对电阻率的控制。但

是，在这个过程中，晶圆中容易出现的极少量的具有电性的污染物，这种污染物

会改变器件的可靠性参数。这种污染物被称之为可移动离子污染物。它们在材料

中以离子形态存在、而且在半导体材料中具有很强的的可移动性。也就是说，即

使在器件通过了电性能测试，金属离子仍可在器件中移动从而造成器件失效。未

经过处理的钠是典型的、最普遍的金属离子，它存在人体的唾液、眼泪、汗液等，

钠沾污在硅片加工中是必须被严格控制的。有机物沾污主要是指那些包含碳的

物质，几乎总是同碳自身及氢结合在一起，有时也和其他元素结合在一起。有机

物沾污主要来源包括细菌、润滑脂、蒸汽、清洁剂、溶剂等。在特定工艺条件下，

少量的有机物沾污能降低栅氧化层的材料致密性。在工艺过程中，有机物会导致

半导体表面难清洗，使得金属杂质之类的沾污在清洗之后仍完整保留在硅片表面。

自然氧化层，如果将硅片暴露于室温下的空气或含溶解氧的去离子水中，硅片的

表面将被氧化，这一薄氧化层，称之为自然氧化层。自然氧化层会妨碍其他工艺

步骤，同时自然氧化层也包含其他金属杂质，可以向硅中转移并形成电学缺陷。

静电释放是指静电荷从一个物体向另一个物体未经控制的转移，损坏芯片。静电

释放产生于两种不同静电势的材料接触或摩擦。释放电压可高达几万伏。静电释