铌酸锂单晶薄膜，前6大企业占据全球98%以上的市场份额（2023）.pdf

全球市场研究报告

铌酸锂单晶薄膜（LNTF、LNOI）是指通过Smart-cut工艺（包括离子注入、转移键合、剥离与抛光等）在

硅等异质基底材料上制备得到的厚度在300~900nm的铌酸锂单晶层。铌酸锂（LiNbO3）晶体是一种重要

的光电材料，广泛应用于光通讯、量子通信、航空航天等领域，是调制器、5G滤波器、存储器以及探测器

等基础材料之一。铌酸锂薄膜正是从铌酸锂晶体上剥离而来，具有独特的光电性能和化学性能。

据QYResearch调研团队最新报告“全球铌酸锂单晶薄膜市场报告2024-2030”显示，预计2030年全球铌

酸锂单晶薄膜市场规模将达到4.17亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为33.4%。

图.铌酸锂单晶薄膜，全球市场总体规模

来源：QYResearch电子及半导体研究中心

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市场趋势：

竞争加剧：铌酸锂单晶薄膜（LNTF、LNOI）属于近年来新发展起来的新兴行业，目前全球市场参与者屈指

可数，但国内外众多企业都在积极投入铌酸锂单晶薄膜的研发和生产，竞争将愈加激烈。

市场激增：铌酸锂单晶薄膜行业目前正处于快速发展阶段，随着现有参与者产能的扩大和新进入者的增加，

预计未来几年市场仍将保持快速增长。

大尺寸化：目前铌酸锂单晶薄膜产品仍以3-6英寸为主，预计随着技术的成熟和厂商持续投入研发，未来更

大尺寸产品（8英寸以上）将占据一定的市场份额。

驱动因素：

技术进步：随着光刻、离子注入等技术的不断发展，铌酸锂单晶薄膜的晶圆制备工艺不断成熟，性能和产量

不断提升，将推动产业快速发展。

下游驱动：终端下游AIGC（人工智能自动生成内容）的快速发展推动了光模块产业的快速发展，作为光通

信骨干网的核心光器件，薄膜铌酸锂调制器凭借先天优势将迎来重大发展机遇，从而带动上游原材料铌酸

锂单晶薄膜市场的扩张。

政策支持：各国政府都在不断加大对半导体产业的支持力度，为铌酸锂单晶薄膜产业发展提供了良好的政

策环境。

挑战和阻碍：

技术壁垒高：铌酸锂单晶薄膜市场技术壁垒较高，如光波导刻蚀工艺，难以实现产业化。

开发和量产难度大：目前，铌酸锂单晶薄膜市场在AIGC等行业需求的推动下蓬勃发展，研发方面取得了很

大进展，但量产难度大。铌酸锂单晶薄膜制造复杂，需要精密技术。材料和设备成本高，品控难度大，也阻

碍了大规模产出。

竞争市场份额困难：全球铌酸锂单晶薄膜市场厂商数量少，产量和产值高度集中在济南晶正（NANOLN）一

家企业手中，其他厂商难以争夺较大的市场份额。

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图.全球铌酸锂单晶薄膜市场前6强生产商排名及市场占有率（基于2023年调研数据；目前最新数据

以本公司最新调研数据为准）

来源：QYResearch电子及半导体研究中心。行业处于不断变动之中，最新数据请联系QYResearch咨询。

根据QYResearch头部企业研究中心调研，全球范围内铌酸锂单晶薄膜生产商主要包括济南晶正电子、上海

新硅聚合半导体、NGKInsulators等。2023年，全球前三大厂商占有大约98.0%的市场份额。

济南晶正电子（NANOLN）是铌酸锂单晶薄膜行业最大的生产商，其2023年占据全球90%以上的收入份

额。由于该材料生产对技术要求极高，这种有着“光学硅”之称的新材料在世界范围内的生产厂家也屈指可

数。而晶正电子不仅成功开发出的大尺寸、纳米厚度铌酸锂薄膜芯片材料，掌握了完全自主知识产权，并且

第一个实现了产业规模化，使中国在该领域技术水平处于世界领先地位，连剑桥、哈佛等世界顶级高校实验

室里用的铌酸锂单晶薄膜材料都来自晶正电子。

晶正电子铌酸锂单晶薄膜产业历程：

济南晶正电子科技有限公司成立于2010年。2014年，晶正电子的研发团队率先0.5毫米的铌酸锂单晶剥

离出500至700纳米单晶薄膜，填补了行业空白；2015年，在世界上率先研发出直径3英寸的纳米级铌酸

锂单晶薄膜；2018年—2019年，产品开始小批量生产；2020年，生产出300纳米厚度的单晶薄膜，500

纳米厚度的4寸单晶薄膜成为主流产品。2023年以来，晶正电子正加快推进年产