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2025年半导体芯片封装之贴片键合概述-聂仁勇.pdfVIP

2025年半导体芯片封装之贴片键合概述-聂仁勇.pdf

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先天下之忧而忧,后天下之乐而乐。——范仲淹

半导体芯片封装之贴片键合概述

作者:聂仁勇海太半导体(无锡)有限公司

引言

半导体芯片封装是指利用精密焊接技术,将芯片粘贴并固定在框架或PBC板等基座上,并通过

金丝、铜丝、铝丝或其他介质将芯片的键合区与基座连接起来,再用绝缘材料将它们保护起来,构

成独立的电子元器件的工艺。

半导体芯片封装的目的,在于保护芯片不受或少受外界环境的影响,并为它提供一个发挥半导

体芯片功能的良好工作环境,以使之稳定、可靠、正常地完成相应的功能。但是芯片的封装只会限

制而不会提高芯片的功能。在这样的情况下,全世界都在努力研究并并不断推出新的封装形式,以

最大限度地发挥半导体芯片尤其是半导体集成电路本应有的功能,减小因封装对芯片功能产生的影

响。半导体芯片封装流程可以分为“前道”流程和“后道”流程两部分。其中,“前道”流程包括贴

片(DieBonding)和键合(WireBonding)两道工序,是整个半导体芯片封装流程中至关重要的两

道工序,它们决定了整个封装流程的成败;“后道”流程则包括塑封、后固化、高温贮存、去飞边、

浸锡(电镀)、切筋(打弯)、测试分类、mark、包装等工序,“后道”流程中测试分类也是比较重要

的一道工序,它决定了产品的“去留”。本文将着重介绍贴片和键合这两道工序。

贴片(DieBonding)

贴片(DieBonding),是将半导体芯片固定于基板或引线框架的Pad上的工艺工程。装片需要

选择与芯片相匹配的基座或Pad的引线框架,因为若基座或Pad太大,则会使内引线宽度太大,在

“后道”塑封过程中会由于塑封体流动产生的应力而造成内引线断裂、塌丝等现象,从而导致TEST

不良品增多。

另外,为了形成良好的装片成品率,还需要完善的工艺要素与之相配合,主要包括:温度、时

间、气氛、压力等几种因素。

工艺要素作用

温度两种材料合金,需在共熔点的温度下进行。

合金过程需通过加压或超声波振动破坏两,者

压力表面的氧化层,形成熔焊面均匀、接触牢固的

欧姆接触。

时间两种材料达到共熔合金需要时间。

气氛为了防止高温下金属氧化,需要气体保护。

百学须先立志。——朱熹

因此装片工序有两大质量要求:产品质量要求和工艺质量要求。

装片的产品质量要求:芯片与引线框架的连接机械强度高,导热性能好(△VBE小)和导电性

能好(V小),装配平整,焊料厚度适中,定位准确,能满足键合的需要,能承受键合或塑封时可

CEsat

能有的高温,保证器件在各种条件下使用都具有良好的可靠性。

装片的工艺质量要求:芯片位置正确;芯片无沾污、无碎裂、无划伤、无倒装、无误装、无扭

转;引线框架无污染、无气泡、无氧化、无变形;焊料熔融良好,无氧化、无漏装、无结球、无翘

片、无空洞。

良好的成品率不但要有合适的工艺条件,而且要有理想的合金材料,理想的材料应有以下特点:

1、在半导体晶片中的溶解度高,这样制成的欧姆接触电阻就小;

2、具有较低的蒸气压,即在合金温度下不应大量蒸发;

3、熔点应低于芯片表面的铝与半导体的合金温度,否则会影响器件的电参数;

4、机械性能良好,要有延展性而且热膨胀性能与半导体材料、衬底材料的热膨胀性能相接近或

相匹配;

但装片的方式又多种多样,目前比较主流的方式主要有以下4种,分别是:树脂粘接(分导电

或非导电树脂)、共晶焊接、银浆或银泥烧结和铅锡合金焊接。

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