《磁随机存储芯片可靠性试验方法（第1-6部分）》系列团体标准编制说明.pdf

《磁随机存储芯片可靠性试验方法第1部分：可靠性鉴定

及质量一致性试验》

团体标准(征求意见稿)

编制说明

1.工作情况

1.1项目来源

磁随机存储器（magneticrandom-accessmemory,MRAM）是新一代的高速高

DRAMns

性能随机存储器，具有与媲美的级读写速度、擦写次数高，同时还兼

具非易失性、低功耗、抗辐射等优异性能，被认为是最具竞争潜力的新型存储器。

其可广泛应用于物联网、可穿戴设备、工业控制、人工智能、航空航天、汽车电

子、企业级存储等领域，诸多领域的需求对MRAM的性能和可靠性提出更高要

求。

由于MRAM的优异性能，国内厂商及科研院所正在加大资金投入，积极地

布局产品及量产技术开发。但随着MRAM器件研究、产品试验及应用开发的持

续性工作开展，一些产品可靠性试验方面的问题逐步显现出来，比如在技术术语、

试验方法、原理等方面出现了内容空白、重叠、定义多样等问题，导致许多单位

对试验方案产生了诸多分歧。不利于产品的质量保证和市场规范。因此对试验标

准进行制定的需求十分迫切。

20223

本项目根据浙江省半导体行业协会的浙半协〔〕号文件《浙江省半导

体行业协会关于〈磁随机存储器可靠性测试方法〉团体标准立项的通知》，由浙

6

江驰拓科技有限公司为主起草单位，项目周期为个月。在征求意见稿中更改标

准标题为《磁随机存储芯片可靠性试验方法》。标准由以下部分组成：

1

——第部分：可靠性鉴定及质量一致性试验；

——第2部分：重复写入次数试验；

3

——第部分：高温数据保存试验；

——第4部分：静磁场数据保存试验；

——第5部分：静磁场数据写入试验；

6

——第部分：读干扰率试验。

本部分为第1部分：可靠性鉴定及质量一致性试验的编制说明。

1.2主要工作过程

1.2.1预研阶段

对主要起草单位进行现场调研，主要围绕标准立项的可行性和必要性、企业

争取项目意义、产品技术水平等方面进行调研。经商讨，确定了项目名称、标准

的主要框架，然后向浙江省半导体行业协会提出了标准制定立项申请。

1.2.2成立标准工作组

根据浙江省半导体行业协会下达的《磁随机存储器可靠性试验方法》团体标

准的立项通知，为了更好地开展编制工作，浙江驰拓科技有限公司邀请了杭州旗

捷科技有限公司、杭州华澜微电子股份有限公司、浙江中控研究院有限公司、上

海矽朋微电子有限公司作为参编单位，成立了标准工作组，落实标准起草任务。

1.2.3标准草案研制

标准研制工作组通过收集国内外相关标准资料和相关试验方法等，根据标准

编制原则，工作组内部经过不断沟通、反复讨论，确定标准主要内容，编制了标

准草案及其编制说明。

1.2.4启动会和标准研讨会

编制组召开行业讨论会，对标准草案进行了详细讨论。会后对草案做进一

步修改，包括调整标准结构、补充欠缺内容、修改标准格式、修正表述模糊或不

正确的文字描述，形成征求意见稿。

1.2.5征求意见（根据标准版次调整）

1.2.6专家评审（根据标准版次调整）

1.2.7标准报批（根据标准版次调整）

1.3标准编制主要成员单位及其工作

标准编制的主要成员单位包括杭州旗捷科技有限公司、杭州华澜微电子股份

有限公司、浙江中控研究院有限公司、上海矽朋微电子有限公司。以上单位参与

标准分析、重大问题讨论等工作。

2.标准编制原则、主要内容论据及解决的主要问题

2.1标准编制原则

本标准编制参考了国内外存储器、半导体集成电路的相关标准，结合MRAM

可靠性的技术特点，充分考虑国内各领域对MRAM可靠性的需求，确定具体技

术要求，保证该标准能够切实符合MRAM的可靠性发展现状。

2.2标准主要内容论据

本标准规定了MRAM可靠性的鉴定与质量一致性的试验方法，重点参考了

GB/T1