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无机化工“微流程”及分析
1234567891.(2024·湖南重点高中二模联考)三草酸合铁(Ⅲ)酸钾{K3[Fe(C2O4)3]}常用来作为化学光量计、催化剂等,一种合成路线如图所示,已知:三草酸合铁酸钾晶体易溶于水(溶解度:0℃,4.7g/100gH2O;100℃,117.2g/100gH2O),难溶于乙醇,110℃下可失去全部结晶水,230℃时分解,它具有光敏性,受光照射分解变为黄色,下列叙述正确的是()CA.“沉铁”中,滤液主要成分是(NH4)2SO4B.“系列操作”是过滤、乙醇洗涤、干燥C.向产品的饱和溶液中加入乙醇,有利于析出产品D.产品贮存于带软木塞的透明试剂瓶中
123456789解析:“沉铁”中,滤液成分是(NH4)2SO4,还有H2SO4,还有过量的草酸,故A错误;三草酸合铁酸钾,易溶于水,在低温溶解度小,所以在过滤前要进行冷却结晶,故B错误;三草酸合铁酸钾晶体难溶于乙醇,所以向饱和溶液中加入乙醇,有利于析出产品,故C正确;三草酸合铁酸钾晶体具有光敏性,受光照射分解变为黄色,不可贮存于带软木塞的透明试剂瓶中,故D错误;答案选C。
1234567892.(2024·吉林白山二模)以含镓废料[主要成分为Ga(CH3)3]为原料制备半导体材料GaN的工艺如图所示。已知:Ga和Al的性质相似。下列叙述错误的是()A.操作X不宜温度过高B.用NH4Cl固体可替代“脱水”中的SOCl2C.用酸性KMnO4溶液可检验“脱水”产生的气体含SO2D.不能用如图装置吸收“合成”中尾气C
123456789解析:镓废料加盐酸酸溶后,生成GaCl3,蒸发结晶得GaCl3·nH2O,含结晶水,在SOCl2的存在下进行脱水得无水GaCl3,无水GaCl3与氨气反应得GaN。操作X是析出GaCl3·nH2O的步骤,Ga3+易水解,温度过高易生成Ga(OH)3,A项正确;亚硫酰氯(SOCl2)与水反应生成SO2和HCl,“脱水”中总反应为GaCl3·nH2O+nSOCl2GaCl3+nSO2↑+2nHCl↑,HCl抑制GaCl3水解,氯化铵固体受热分解产生氯化氢,也能抑制氯化镓水解,可以用氯化铵替代亚硫酰氯,达到相同目的,B项正确;“脱水”中产生的气体含SO2、HCl,二者都能还原酸性高锰酸钾溶液使其褪色,应用品红溶液检验SO2,C项错误;“合成”中反应为GaCl3+NH3GaN+3HCl,尾气含NH3和HCl,而NH3和HCl均易溶于水,直接通入水中易引起倒吸,应考虑防倒吸措施,D项正确。
1234567893.(2024·湖南衡阳模考)“分铜液净化渣”主要含铜、碲(Te)、锑(Sb)、砷(As)等元素的化合物,回收工艺流程如图所示。
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123456789解析:分铜液净化渣碱浸后,碱浸液中含Na2TeO3、Na3AsO4,铜元素和锑元素转化为氧化物或氢氧化物,硫酸酸浸后得到Sb2O(SO4)4沉淀,经过氯盐酸浸后得到SbCl3,水解后得到SbOCl,碱浸液中含Na2TeO3、Na3AsO4,调节pH后得到TeO2沉淀,据此解答。
1234567894.(2024·湖南长郡中学二模)化学镀镍法得到的镀层均匀性、硬度等性能都较好,一种化学镀镍工艺流程如图所示:已知:①镀层为Ni-B合金,比例为n(Ni)∶n(B)=10∶3;②Ni(OH)2难溶于水;③NaOH能稳定NaBH4,降低其水解率,NaBH4的水解反应:NaBH4+4H2O═Na[B(OH)4]+4H2↑;
123456789下列有关材料说法正确的是()A.上述流程涉及的物质中,含配位键的物质有2种B.“络合”时,将NiCl2溶液滴入少量乙二胺(H2NCH2CH2NH2)中C.流程中使用H2NCH2CH2NH2,有利于调控溶液pH得到均匀性、硬度等性能较好的镀层D.“合成”时,NaBH4既作氧化剂又作还原剂D
123456789解析:镍、硼均能提供空轨道与有孤电子对的原子形成配位键,含配位键的物质有NaBH4、Na[B(OH)4]、[Ni(H2NCH2CH2NH2)2]Cl2,A错误;乙二胺具有碱性且Ni(OH)2难溶于水,则“络合”时,将乙二胺(H2NCH2CH2NH2)滴入NiCl2溶液中,B错误;流程中使用H2NCH2CH2NH2,使得镍离子形成络合物[Ni(H2NCH2CH2NH2)2]Cl2,防止在下一步操作中形成Ni(OH)2沉淀,导致镀镍速率减慢,C错误;“合成”时,NaBH4中氢化合价升高、B化合价降低,故其既作氧化剂又作还原剂,D正确。
1234567895.(2024·吉林省吉林地区三模)二氧化锗常用作有机反应的催化剂以及制备半导体的原料。某大型化工厂提纯
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