备战2025年高考二轮复习课件 化学（山东版）：无机化工“微流程”及分析.pptVIP

无机化工“微流程”及分析1234567891.(2024·山东菏泽二模)工业上以钛铁矿(FeTiO3,其中Ti为+4价)为主要原料制备金属钛的工艺流程如图所示。下列说法错误的是()A.Ti位于元素周期表中第四周期ⅣB族B.“氯化”时,被氧化的元素有碳和铁C.制备Ti时,Ar作保护气,可用氮气代替D.“氯化”时,每生成0.1molFeCl3,转移电子0.7molC123456789解析:Ti位于元素周期表中第四周期ⅣB族,A正确;“氯化”时发生的反应为2FeTiO3+7Cl2+6C2FeCl3+2TiCl4+6CO,根据产物判断被氧化的元素有碳和铁,B正确;高温下Ti与N2反应,由TiCl4制备Ti的过程中,Ar不可换成氮气,C错误;根据反应方程式,每生成0.1molFeCl3,转移0.7mol电子,D正确。123456789C2.(2024·吉林白山二模)以含镓废料[主要成分为Ga(CH3)3]为原料制备半导体材料GaN的工艺如图所示。已知:Ga和Al的性质相似。下列叙述错误的是()A.操作X不宜温度过高B.用NH4Cl固体可替代“脱水”中的SOCl2C.用酸性KMnO4溶液可检验“脱水”产生的气体含SO2D.不能用如图装置吸收“合成”中尾气123456789解析:镓废料加盐酸酸溶后,生成GaCl3,蒸发结晶得GaCl3·nH2O,含结晶水,在SOCl2的存在下进行脱水得无水GaCl3,无水GaCl3与氨气反应得GaN。操作X是析出GaCl3·nH2O的步骤,Ga3+易水解,温度过高易生成Ga(OH)3,A项正确;亚硫酰氯(SOCl2)与水反应生成SO2和HCl,“脱水”中总反应为GaCl3·nH2O+nSOCl2GaCl3+nSO2↑+2nHCl↑,HCl抑制GaCl3水解,氯化铵固体受热分解产生氯化氢,也能抑制氯化镓水解,可以用氯化铵替代亚硫酰氯,达到相同目的,B项正确;“脱水”中产生的气体含SO2、HCl,二者都能还原酸性高锰酸钾溶液使其褪色,应用品红溶液检验SO2,C项错误;“合成”中反应为GaCl3+NH3GaN+3HCl,尾气含NH3和HCl,而NH3和HCl均易溶于水,直接通入水中易引起倒吸,应考虑防倒吸措施,D项正确。123456789A3.(2024·辽宁沈阳一模)清华大学等重点高校为解决中国“芯”——半导体芯片问题,成立了“芯片学院”。某小组拟在实验室制造硅,其流程如图。已知:Mg2Si+4HCl2MgCl2+SiH4↑。下列说法中错误的是()A.点燃镁条引发反应的过程中,涉及两种晶体类型的变化B.CO2氛围是为了阻止Si被二次氧化和SiH4自燃C.操作2为用去离子水洗涤并烘干D.1mol镁粉生成MgO和Mg2Si的混合物,转移2mol电子123456789解析:点燃镁条引发反应的过程中发生的反应为2Mg+SiO22MgO+Si,2Mg+SiMg2Si,镁粉为金属晶体、石英砂和硅为共价晶体、氧化镁和硅化镁为离子晶体,涉及三种类型晶体变化,A错误;CO2氛围是为了阻止Si被二次氧化和SiH4自燃,B正确;操作2为用去离子水洗涤并烘干,C正确;1mol镁粉生成MgO和Mg2Si的混合物,Mg由0价全部变为+2价,转移2mol电子,D正确。1234567894.(双选)氮化硅(Si3N4)是一种高温结构陶瓷材料﹐它硬度大、熔点高、化学性质稳定。合成氮化硅的一种工艺流程如图所示。下列说法正确的是()AB已知:SiCl4在潮湿的空气中易水解,产生白雾A.该流程中可循环使用的物质是NH3B.第③步反应不涉及氧化还原反应C.1molSiCl4和Si3N4所含共价键数目均为4NA(设NA为阿伏加德罗常数的值)D.第③步反应可用氨水代替NH3123456789解析:石英砂与炭发生氧化还原反应生成粗硅,粗硅中硅单质与Cl2发生氧化还原反应生成SiCl4,SiCl4和氨气在一定温度下生成Si(NH)2,Si(NH)2高温下加热可得氮化硅,结合质量守恒可知,反应还生成氨气。由分析可知,Si(NH)2高温下加热生成的氨气可以在③中循环利用,A正确;第③步反应中SiCl4和氨气一定温度生成Si(NH)2和HCl,不涉及元素化合价改变,不是氧化还原反应,B正确;1molSiCl4中含有4mol硅氯键,而1molSi3N4中含有12mol硅氮键,所含共价键数目分别为4NA、1