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例题13：计算T=300K时砷化镓中的本征载流子浓度，砷化镓禁带宽度为1.42eV例题2：计算硅原子的体密度，其晶格常数为特定原子面密度说明：不同晶面的面密度是不同的例题3：例题4：计算对应某一粒子波长的光子能量已知波长换算为更为常见的电子伏形式能量为2.波粒二象性计算一个粒子的德布罗意波长已知电子的运动速度为说明：典型电子的德布罗意波长的数量级德布罗意波长电子动量为例题5：例题6：计算无限深势阱中电子的前三能级，势阱的宽度为说明：从计算中可以看到束缚态电子能量数量级3.能级壹例题7：贰费米能级被电子占据的概率说明：温度高于绝对零度时，费米能级量子态被电子占据的概率为50%.4.费米能级STEP03STEP01STEP02例题8：令T=300K，试计算比费米能级高3kT的能级被电子占据的概率说明：比费米能级高的能量中，量子态被电子占据的概率远小于1.例题9：令T=300K，费米能级比导带低0.2eV。求Ec处电子占据概率;Ec+kT处电子占据概率.12电子和空穴的有效质量本征半导体中有效状态密度说明：T=300K时，有效状态密度数量级在10的19次方1235.载流子浓度求导带中某个状态被电子占据的概率，并计算T=300K时硅中的热平衡电子浓度设费米能级位于导带下方0.25eV处，T=300K时硅中有效导带状态密度值为0102例题10：得到电子浓度为：说明：某个能级被占据的概率非常小，但是因为有大量能级存在，存在大的电子浓度值是合理的。例题11：计算T=400K时硅中的热平衡空穴浓度设费米能级位于价带上方0.27eV处，T=300K时硅中有效价带状态密度值为得到空穴浓度为：说明：任意温度下的该参数值，都能利用T=300K时Nv的取值及对应温度的依赖关系求出壹贰1说明：此半导体为n型半导体32设费米能级位于导带下方0.22eV处，Eg=1.12eV计算T=300K时硅中的热平衡电子和空穴浓度例题12：123计算T=300K时砷化镓中的热平衡电子和空穴浓度。设费米能级位于价带上方0.3eV处，Eg=1.42eV说明：此半导体为n型半导体123例题12’：基本概念均匀半导体由同一种材料组成，而且掺杂均匀的半导体。例如：纯净的（本征）硅，杂质均匀分布的硅。非均匀半导体成份不同，或掺杂不均匀的半导体材料。例如：纯净的（本征）硅，杂质均匀分布的硅。平衡状态：热平衡状态，没有外界影响（如电压、电场、磁场或者温度梯度等）作用于半导体上的状态。在这种状态下，材料的所有特性与时间无关。基本概念元素半导体由一种元素组成的半导体。化合物半导体基本概念非简并半导体简并半导体基本概念非简并半导体简并半导体基本概念logo非简并半导体简并半导体基本概念非简并半导体简并半导体01没有杂质原子和晶格缺陷的纯净半导体。本征意味着导带中电子的浓度等于价带中空穴的浓度。本征半导体02绝对零度，电子全在价带，导带为空。温度升高，晶格振动波动传播——声子。声子将电子从价带激发到导带——热产生。光产生。复合：电子回到价带，准自由电子和空穴同时消失。电子-空穴对的产生和复合基本概念基本概念非本征半导体掺杂：添加杂质原子到本征材料中，形成非本征半导体。掺杂原子可以是施主，也可以是受主。n型：n0p0，电流主要由带负电的电子携带p型：n0p0，电流主要由带正电的空穴携带基本概念费米能级基本概念费米能级基本概念费米能级基本概念求导带中某个状态被电子占据的概率，并计算T=300K时硅中的热平衡电子浓度设费米能级位于导带下方0.25eV处，T=300K时硅中有效导带状态密度值为例题10：基本概念Eg=1.42eVEg=1.12eV基本概念01本征半导体中：02本征半导体中导带中的电子浓度值等于价带的空穴浓度值03说明：本征载流子浓度与费米能级无关本征载流子浓度*************************半导体器件基础例题1.基本的晶体结构简立方1个原子01.体心立方2个原子02.面心立方4个原子03.123例题1：计算简立方、体心立方和面立方单晶的原子体密度，晶格常数为说明：以上计算的原子体密度代表了大多数材料