微波与等离子体.pptVIP

高温等离子体和低温等离子体。高温等离子体是高于10000℃的等离子体，如聚变、太阳核心。高温等离子体中的粒子温度T108-109K，粒子有足够的能量相互碰撞，达到了核聚变反应的条件。低温等离子体又分为热等离子和冷等离子体两种。热等离子体是稠密气体在常压或高压下电弧放电或高频放电而产生的，温度也在上千乃至数万开，可使分子、原子离解、电离、化合等。冷等离子体的温度在100-1000K之间，通常是稀薄气体在低压下通过激光、射频或微波电源发辉光放电而产生的。1.4按系统温度分类1.5按产生方法和途径分类除自然界本身产生的等离子体外，人为发生等离子的方法主要有气体放电法、射线辐射法、光电离法、热电离法、冲击波法等。其中化工中最为常见的是气体放电法。根据所加电场的频率，气体放电可分为直流放电、低频放电、高频放电、微波放电等多种类型；根据其放电形式又可分为电晕、辉光、弧光等离子体等；根据气压可分为低压等离子体和常压等离子体。获得等离子体的方法和途径多种多样，其中宇宙星球、星际空间以及地球高空的电离层等属于自然界产生的等离子体。这里只讨论人为产生等离子体的主要方法和原理。一般说来，电离的方法有如下几种：2等离子体的产生方法和原理?光、X射线、射线照射：通过光、X射线、射线的照射提供气体电离所需要的能量，由于其放电的起始电荷是电离生成的离子，所形成的电荷密度通常极低。01?辉光放电：从直流到微波的所有频率带的电源产生各种不同的电离状态。辉光放电法所产生的低温等离子体在薄膜材料的制备技术中得到了非常广泛的应用。02?燃烧：通过燃烧，火焰中的高能粒子相互之间发生碰撞，从而导致气体发生电离，这种电离通常称之为热电离。另外，特定的热化学反应所放出的能量也能够引起电离。03STEP4STEP3STEP2STEP1?冲击波：气体急剧压缩时形成的高温气体，发生热电离形成等离子体。?激光照射：大功率的激光照射能够使物质蒸发电离。?碱金属蒸气与高温金属板的接触：由于碱金属蒸气的电离能小，当碱金属蒸气接触到电离能大的金属时，电离容易发生。?微波激发等离子体：用微波加热激发产生等离子体。010203等离子体的组分，如原子、分子、离子、电子、化学基团等。粒子所处的状态，如中性态、激发态、电离态、活化的分子及自由基。各种粒子数密度，即单位体积中的粒子数。等离子体的性质常取决于以下因素：3等离子体的性质各种粒子的温度。如果电子和离子的温度相等，称为平衡态等离子体；反之，是非平衡态等离子体。等离子体所处的环境，如电场强度、磁场强度、电极结构、气流、放电容器等。各种因素的作用时间。应用取决于它的性质和状态。等离子体的应用取决于它的性质和状态0102四、四类等离子体反应选择合适的气体,其等离子体与固体表面物质发生反应,生成挥发性气态物质除去,这就是等离子体刻蚀。1选用不同气体的等离子体，几乎可刻蚀所有材料，刻蚀的分辨率高21.A(s)+B(g)→C(g)母体分子CF4在高能电子的碰撞下分解成多种中性基团或者离子CF4CF3,CF2,CF,F,C以及他们的离子这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面发生化学反应生产过程中，CF4中掺如O2，这有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率e010302光刻胶刻蚀首先，使光刻胶层顶部曝光形成图形。第二步，将光刻胶暴露在含硅的气体中使光刻胶被硅化。最后一步,用氧等离子体把光刻胶各向异性地刻蚀掉。2.A(g)+B(g)→C(s)+D(g)两种以上的气体在等离子状态下相互反应，产生的固体物质以薄膜的形式沉积在基片上，这就是等离子体化学气相沉积（PCVD）。其过程大概包括：①反应气体向固体表面的扩散；②反应气体吸附于固体表面；③气体与固体物在表面上的化学反应；④气态副产物脱附而扩散或被真空泵抽走，在表面上留下产物(淀积物)。非晶硅(α-Si)太阳能电池的大规模廉价生产01PCVD工艺一般是以硅烷SiH4为主要原料，辉光放电形成等离子体。单用SiH4反应生成的是i型非晶硅半导体，若在SiH4中掺人少量B2H6便生成p型层；改掺少量PH3则生成n型层。02绝缘层材料氮化硅Si3N4约300℃温度下通过等离子体增强化学气相沉积生成。而同样效果的非等离子体化学气相沉积过程则需要900℃。这样高的温度会使铝熔化，毁坏器件。聚甲基丙烯酸甲酯包裹的Al2O3有机-无机纳米复合材料01在纳米颗粒的出口处引入有机单体,则在等离子体辐射下瞬时聚合包裹于微粒表面02这个反应表示B气体放电等离子体与固体A表面反应,并在表面生成新的化合物C，由此能使表面性质