模拟电子技术基础-第五章-BJT三极管及其放大电路.pptVIP

5双极结型三极管及放大电路根底;5.1BJT;5.1.1BJT的结构简介;半导体三极管的结构示意图如下图。它有两种类型:NPN型和PNP型。

两种类型的三极管;;5.1.2放大状态下BJT的工作原理;IE=IC+IB;2.电流分配关系;;3.三极管的三种组态;共基极放大电路;综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。即表现为很小的发射结电压的变化引起较大的电流变化。

实现这一传输过程的两个条件是：

〔1〕内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。

〔2〕外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;5.1.3BJT的V-I特性曲线;(3)输入特性曲线的三个局部;饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。;例：测量三极管三个电极对地电位如图

03.23所示，试判断三极管的工作状态。;例：用数字电压表测得VB=4.5V、VE=3.8V、VC=8V，试判断三极管的工作状态。;(1)共发射极直流电流放大系数

=（IC－ICEO）/IB≈IC/IB?vCE=const.;(3)共基极直流电流放大系数

=（IC－ICBO）/IE≈IC/IE;2.极间反向电流;(2)集电极发射极间的反向饱和电流ICEO;(1)集电极最大允许电流ICM;(3)反向击穿电压;5.1.5温度对BJT参数及特性的影响;5.2根本共射极放大电路;5.2.1根本共射极放大电路的组成;习惯画法;;电路如下图，设VBE=0.6V，?=60，RC=2K??设计电路参数，使VCEQ=2.5V.VCC=VBB=5V;;5.3BJT放大电路的分析方法;;;?在输出特性曲线上，作出直流负载线VCE=VCC－iCRc，与IBQ曲线的交点即为Q点，从而得到VCEQ和ICQ。;;3.静态工作点对波形失真的影响;iC;iC;总结;例：?=50，USC=12V，

RB=70k?，RC=6k?

当USB=-2V，2V，5V时，

晶体管的静态工作点Q位

于哪个区？;例：?=50，USC=12V，

RB=70k?，RC=6k?

当USB=-2V，2V，5V时，

晶体管的静态工作点Q位

于哪个区？;USB=5V时:;①波形的失真;共射极放大电路;〔2〕当Rb=100k?时，;图(b)示出了图(a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性及交、直流负载线，试求：

〔1〕电源电压VCC，静态电流IB、IC和管压降VCE的值；

〔2〕电阻Rb、Rc的值；

〔3〕输出电压的最大不失真幅度；

〔4〕要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？

?解〔1〕由作图法可知，直流负载线与输出特性横坐标轴的交点的电压

值即是VCC值的大小，图〔b〕中直线①为直流负载线，读得VCC=6V。由Q点分别向横、纵轴作垂线，得:

;〔3〕由交流负载线②与静态工作点Q的情况可看出，

在输入信号的正半周，

输出电压VCE在3V到0.8V范围内，变化范围为2.2V；

在信号的负半周

输出电压VCE在3V到4.6V范围内，变化范围为1.6V。

综合考虑为不出现失真输出电压的最大不失真幅度为1.6V。

〔4〕根据输出电压最大不失真幅度为1.6V，可作图求得基极

正弦电流最大幅值为20μA。;4.图解分析法的适用范围;5.3.2小信号模型分析法;?H参数的引出;输出端交流短路时的输入电阻；;?H参数小信号模型;?H参数小信号模型;?模型的简化;?H参数确实定;2.用H参数小信号模型分析根本共射极放大电路;〔2〕画小信号等效电路;〔3〕求放大电路动态指标;输入电阻;3.小信号模型分析法的适用范围;例题;5.4放大电路静态工作点的稳定问题;5.4.1温度对静态工作点的影响;;;b点电位根本不变的条件：;〔2〕放大电路指标分析;②电压增益;②电压增益;③输入电阻;④输出电阻;2.含有双电源的射极偏置电路;〔2〕直接耦合;3.含有恒流源的射极偏置电路;例:图所示电路中的VCC=16V，Rb1=56k?，Rb2=20k?，

Re=2k?，Rc=3.3k?,RL=6.2k?Rs=500?,