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基于单层SnX2（X=S，Se）晶体管的电极设计

一、引言

随着科技的飞速发展，二维材料在电子器件领域的应用越来越广泛。其中，单层SnX2（X=S，Se）晶体管因其独特的物理和化学性质，在纳米电子学和光电子学中展现出巨大的应用潜力。然而，其在实际应用中仍面临一些挑战，如电极设计。本文将探讨基于单层SnX2晶体管的电极设计，旨在为相关研究提供理论支持和设计参考。

二、单层SnX2晶体管的性质与挑战

单层SnX2晶体管具有优异的电学性能、良好的稳定性以及较高的载流子迁移率，使得其在晶体管领域具有广泛应用。然而，其在实际应用中仍面临一些问题，如与电极之间的接触电阻大、界面态密度高等。这些问题限制了单