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基于DFN封装功率器件的纳米银膏互连工艺及可靠性研究
一、引言
随着微电子技术的飞速发展，功率器件在各种应用中扮演着越来越重要的角色。为了满足高集成度、高可靠性的要求，封装技术不断进步。其中，基于DFN（DirectedFilmNetwork）封装的功率器件已经成为业界关注的焦点。该技术采用先进的封装材料和互连工艺，能够实现器件的小型化、高集成度和良好的热性能。而纳米银膏互连工艺作为一种新兴的封装技术，具有高导电性、高可靠性和低成本的优点，是DFN封装中的关键环节。本文将对基于DFN封装的功率器件的纳米银膏互连工艺及其可靠性进行研究，以期为功率器件的封装技术的发展提供一定的参考。
二、DF
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