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哈工大器件原理JFET课件

第一章JFET基本结构及工作原理

(1)JFET，即结型场效应晶体管，是一种重要的半导体器件，广泛应用于放大、开关、滤波等电子电路中。JFET的基本结构由N型或P型半导体材料构成，其中夹在两个半导体之间的是一个掺杂浓度不同的耗尽层，形成了一个倒置的PN结。这种结构使得JFET具有高输入阻抗和低噪声等优点。以N沟道JFET为例，其结构通常由N型硅衬底和P型源极、漏极组成，通过改变源极和漏极之间的电场，可以控制电流的流动。实验数据显示，N沟道JFET的开启电压约为-4V，而关闭电压约为-5V，这种电压控制特性使得JFET在电路中具有极高的灵敏度。

(2)JFET的工作原理主要基于电场对半导体中载流子运动的影响。当JFET处于正向偏置状态时，耗尽层变薄，导电沟道变宽，电流增加；当JFET处于反向偏置状态时，耗尽层变厚，导电沟道变窄，电流减小。以一个N沟道JFET为例，当源极电压为正，漏极电压为负时，导电沟道形成，电流从源极流向漏极；反之，当源极电压为负，漏极电压为正时，导电沟道消失，电流几乎为零。在实际应用中，通过改变偏置电压，可以实现对JFET导通和截止的控制。例如，在一个音频放大器中，JFET可以作为输入级，通过调整栅极电压，实现对音频信号的放大。

(3)JFET的栅源电压对其工作状态有着至关重要的影响。在正常工作范围内，JFET的栅源电压通常为负值，以保持沟道导通。当栅源电压过零时，沟道会完全消失，此时JFET处于截止状态。在实际应用中，为了提高电路的稳定性，通常在JFET的栅极和源极之间加入偏置电阻，以限制栅极电流，防止JFET进入非线性工作区域。例如，在一个JFET放大电路中，通过合理设计偏置电阻的值，可以使放大器在较宽的频率范围内保持稳定的放大性能。实验证明，适当调整偏置电阻的值，可以显著提高JFET放大器的线性度。

第二章JFET的直流参数分析

(1)JFET的直流参数分析主要包括输入阻抗、输出阻抗、跨导和漏极电流等关键参数。以N沟道JFET为例，其输入阻抗通常在10^6Ω到10^9Ω之间，这意味着JFET在输入端对信号源的负载非常小，有利于信号传输的保真度。例如，在一个低频放大器中，使用输入阻抗为10^7Ω的JFET可以显著减少信号失真。输出阻抗通常在几十欧姆到几百欧姆之间，这对于驱动负载来说是一个合理的范围。跨导（gm）是描述JFET放大能力的重要参数，其值一般在几十毫西门子到几百毫西门子之间。一个跨导为100mS的JFET可以放大一个毫伏的输入信号到100毫伏的输出信号。

(2)漏极电流（Id）是JFET直流参数分析中的另一个关键指标，它受到栅源电压（Vgs）和漏源电压（Vds）的影响。在Vgs为负值时，随着Vgs绝对值的增加，Id会逐渐增大，直到达到饱和状态。例如，对于一个Vgs=-2V时Id为1mA的JFET，当Vgs降低到-1V时，Id可能会增加到3mA。在Vds为正值时，Id随着Vds的增加而增加，直到达到最大漏极电流。JFET的漏极饱和电流（Idss）通常在几十微安到几百微安之间。在电路设计中，了解JFET的漏极电流特性对于确保电路稳定性和性能至关重要。

(3)JFET的直流特性曲线是分析其直流参数的重要工具。这些曲线包括输出特性曲线和转移特性曲线。输出特性曲线展示了在不同栅源电压下，漏极电流随漏源电压变化的趋势。转移特性曲线则显示了在固定漏源电压下，漏极电流随栅源电压变化的趋势。通过这些曲线，可以直观地看到JFET的开启电压、饱和电流和线性工作区域。例如，在输出特性曲线上，当Vds=10V时，一个JFET的开启电压可能在-2V到-5V之间。在转移特性曲线上，可以观察到当Vgs=-2V时，Idss大约为1mA。这些数据对于设计JFET放大电路和开关电路提供了重要的参考依据。

第三章JFET的小信号模型及交流特性

(1)JFET的小信号模型主要用于分析器件在交流信号作用下的放大性能。该模型主要包括线性化的输入阻抗、跨导和输出阻抗。在交流分析中，JFET的小信号模型可以简化为一个线性化的等效电路，其中包括一个理想的电压控制电流源和相应的电阻。跨导（gm）是描述JFET放大能力的关键参数，其值通常在几十毫西门子到几百毫西门子之间。例如，对于一个跨导为100mS的JFET，其放大一个毫伏的输入信号理论上可以达到100毫伏的输出信号。在实际应用中，小信号模型有助于设计电路时预测JFET的增益和带宽。

(2)在交流特性分析中，JFET的增益是衡量其放大能力的重要指标。增益可以通过跨导和输入阻抗的比值来计算。以一个JFET放大器为例，如果跨导为100mS，输入阻抗为10kΩ，则其增益约为10。这意味着输入信号的幅度每增加1单位，输出信号的幅度将增加10单