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电力电子技术试题及答案--第1页
德州科技职业学院机电系14级机电示的。
专业A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值
4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电
期末考试试题
极。
《电力电子技术》试卷
A、一个B、两个C、三个D、四个
题号一二三四合计5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路
分数
符号的是（）
阅卷人得分
6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）
A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO
一、选择（每题1.5分，共60分）
7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）
1、晶闸管内部有（）个PN结。
A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO
A、1B、2C、3D、4
8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）
2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。
A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO
A、越大B、越小C、不变D、越稳定
9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）
3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表
A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO
电力电子技术试题及答案--第1页
电力电子技术试题及答案--第2页
10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、700VB、750VC、800VD、850V
A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电
11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用路简单
（）A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、
A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅功率场效应晶体管
双极型晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）
12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V
A、直流B、低频C、中频D、高频才导通D、超过0.7V才导通
13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路
A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极符号的是（）
加负电压D、在集电极加负电压19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路
14、电力晶
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