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微波瓷介芯片电容器用陶瓷基片

1范围

本文件规定了陶瓷介质基片的命名规则、结构尺寸、技术要求、检验方法、检验规则及包装、运输、贮存等内容。

本文件适用于微波芯片电容器用陶瓷基片(以下简称“基片”)。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB2828.1—2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

3术语和定义

本文件没有需要界定的术语和定义。

4命名规则

基片命名规则如下：

5结构尺寸

基片通常为正方形见图1，长、宽编号见表1，厚度编号见表2。

图1基片结构示意图

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表1长、宽编码

长、宽编码

长、宽尺寸（mm）

25

25.4±1.5

38

38.1±1.5

51

50.8±1.5

表2厚度编码

厚度编码

厚度尺寸（mm）

10

0.102±0.025

12

0.127±0.025

17

0.178±0.025

25

0.254±0.025

30

0.305±0.051

38

0.381±0.051

51

0.508±0.051

6技术要求

6.1尺寸

基片尺寸应符合表1、表2的要求，或用户特殊要求。

6.2外观

外观应符合表3的要求。

表3外观要求

项目

最大允许值

示意图

裂纹

不允许

瓷泡

不允许

凸脊

直径或等效直径0.076mm

毛刺

长0.076mm

凹坑

直径或等效直径0.076mm

缺损

长0.25mm，宽0.25mm

6.3表面粗糙度

3

表面粗糙度应满足Ra≤0.8μm的要求。

6.4技术性能

基片的技术性能应满足表4的要求。

表4技术性能要求

瓷料分类

温度特性代码

介电常数

温度特性

温度范围

损耗角正切最大值

绝缘电阻最小值

表5步骤A到D

表5步骤E到G

1类瓷

BP

20～80

（0±30）ppm/℃

—

-55℃~﹢125℃

0.15%

10Ω

BH

40～120

（0±60）ppm/℃

0.15%

10Ω

BA

10～20

（100±30）ppm/℃

—

0.15%

10Ω

BU

120～180

（-750±250）ppm/℃

—

0.25%

10Ω

BV

180～350

（-1500±500）ppm/℃

—

0.30%

10Ω

BK

180～360

（-2200±500）ppm/℃

—

0.50%

10Ω

BD

600～900

（-3300±1000）ppm/℃

—

0.50%

10Ω

2类瓷

BR

1000～2000

±15%

-40％～+15%

2.5%

10Ω

BX

2000～3000

±15%

-25％～+15%

2.5%

10Ω

BY

1000～5000

±15%

—

3.0%

10Ω

BW

3000～5000

±20%

—

4.0%

10Ω

3类瓷

BS

15000～55000

±15%

—

2.5%

10Ω

X7S

15000～55000

±22%

7检验方法

7.1环境条件

除另有规定外，所有检验均应在标准大气条件下进行，相对湿度不超过75％。

7.2样品制备

测量介电常数、温度特性、介质损耗角正切、绝缘电阻时，按下述方法制备样品。在基片表面制备金属电极（如Ag或Au电极）。1类瓷和2类瓷：划出1.0mm×1.0mm～3.0mm×3.0mm的平行板电容器；3类瓷：划出1.0mm×1.0mm左右的平行板电容器。

7.3检验方法

7.3.1尺寸

游标卡尺或千分尺。

7.3.2外观

在灯光下用20~45倍显微镜进行检查。对裂纹检查，必要时可用浸色液后再行目测。

7.3.3表面粗糙度

用针触式表面粗糙度测量仪进行测量。

7.3.4介电常数

测试出电容器的长、宽、厚和电容量；根据式（1）计算了介电常数。

a)测试频率：容量不大于100pF时测试频率1MHz±50kHz；容量大于100pF时测试频率1kHz±100Hz；

b)测试电压：(1.0±0.2)Vrms。

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························································

式中：

K——介电常数；

l——测试出电容器的长；w——测试出电容器的宽；t——测试出电容器的厚；

c——测试出电容器的电容量。

7.3.5温度特性

电容器的电容量等于或大于10pF。电容器