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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜
抑制性突触后电位（Inhibitorypostsynapticpotential，IPSP）的产生是由于突触前膜释放抑制性递质，这些递质与突触后膜上的相应受体结合后，导致突触后膜对特定离子的通透性发生变化。具体来说，抑制性递质的作用提高了突触后膜对钾离子（K?）和氯离子（Cl?）的通透性，尤其是氯离子。由于氯离子在膜外的浓度高于膜内，因此氯离子会由膜外流入膜内，这使得膜电位的绝对值增大，导致突触后膜发生超极化。这种超极化状态使得突触后神经元更难以被兴奋，从而产生了抑制性效应，即抑制性突触后电位。
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜在抑制性递质的作用下，对钾离子和氯离子的通透性增加，尤其是氯离子的内流，导致突触后膜超极化。这种电位变化是神经系统中的一种重要抑制机制，有助于调节神经元的兴奋性和神经网络的稳定性。
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