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沉银板银层下界面空洞关键影响因素的研究.pdfVIP

沉银板银层下界面空洞关键影响因素的研究.pdf

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2016秋季国际PCB技术/信息论坛电镀与涂覆PlatingandCoating

沉银板银层下界面空洞关键影响因素的研究

PaperCode:A-052

鲁志强陈黎阳张鹏伟艾鑫

(广州兴森快捷电路科技有限公司,广东广州510663)

(深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司,广东深圳518054)

摘要沉银板银层下界面处铜层空洞情况影响着其后续焊接可靠性,而目前业界对沉银

后银下铜层空洞的成因和影响因素研究较少,本文作者结合沉银制程,对沉银后

界面处铜层空洞形成机理及影响因素~:g-rr分析,指出沉银过程中原电池效应、反

应速率过快、药水残留是导致沉银板银下铜层空洞的可能原因,并设计L8(26)

正交试验验证相应因素对沉银后铜层空洞的影响然后采用激光离子柬研磨及场

发射电镜观察银下铜层空洞,结果显示:微蚀剂是影响空洞的关键因素,不同微

蚀剂微蚀后铜面粗糙程度和表面形态不同,沉银时铜面各处置换反应速率和原电

池效应不同,局部反应速率过快处银离子来不及沉积完全和凹陷较大处原电池腐

蚀显著,易产生铜层空洞。

关键词正交试验;沉银;铜层空洞;影响因素

中图分类号:TN41文献标识码:A文章编号:1009—0096(2016)增刊一O149一O6

Studyofthekeyfactorsaffectinginterface

caveS,~in‘I1MAgPCBs

ZHANGPeng-weiCHENLi-yangLUOChangHAOQiang-liJIMeng-jie

AbstractCoppercavesundersilversurfaceaffectedthesolderjointreliability,however,currentlyinthe

industrytherelevantresearchsubjectsabouthteformingmechanismandinfluencingfactorsofinterfacecoppercaves

wereraretosee.Sothepossibleformingmechanismandinfluencingfactorsofcoppercavesunderhtesurfaceofsilver

wasproposedbytheauhtorofthispaper,whichpointedoutthatfactorssuchasthegalvaniccorrosion,therateof

replacementreaction,theresidualchemistriesmightcausecoppercavesbasically.Thentheinfluenceofcorresponding

factorsoncoppercaveswasstudiedbydesigningL8(26)DOEexperiment.Thecoppersurfacemorphologywas

inspectedbyCPnadSEMafterstrippingsilver.Asaresult,differenttypesofmicroetchingagent,asthekeyfactors

affectingcoppercaves,haddifferentmicroetchingeffects(coppersurfaceroughnessandmoprhology)oncopper

surface,whichmeantduringsilverimmersiontherateofreplacementreactionand

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