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低暗电流近红外雪崩光电二极管结构设计与性能研究

摘要：

本文针对低暗电流近红外雪崩光电二极管（APD）的结构设计与性能进行了深入研究。通过优化器件结构，降低暗电流，提高近红外光响应性能，为光电探测领域提供了一种新型的、高性能的光电二极管。

一、引言

随着光电探测技术的不断发展，近红外雪崩光电二极管（APD）在通信、夜视、遥感等领域得到了广泛应用。然而，高暗电流仍是限制其性能提升的关键因素之一。因此，本研究致力于低暗电流近红外雪崩光电二极管的结构设计与性能研究，旨在提高器件的光电转换效率与信噪比。

二、器件结构设计与理论分析

1.材料选择：采用具有高光电转换效率的XXX材料作为有源区，通过优化