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使用单个掩模形成磁性隧道结的方法--第1页
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN102017157A
(43)申请公布日2011.04.13
(21)申请号CN200980113951.7
(22)申请日2009.04.16
(71)申请人高通股份有限公司
地址美国加利福尼亚州
(72)发明人升H··康戴维班·李康浩
(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人宋献涛
(51)Int.CI
H01L27/22
H01L43/08
H01L43/12
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
使用单个掩模形成磁性隧道结的方
法
(57)摘要
本发明提供一种用于将磁性隧道结
(MTJ)装置集成到集成电路中的方法，其包
括在半导体后段工艺(BEOL)工艺流程中提
供具有第一层间电介质层(36)及至少第一
金属互连件(37)的衬底。在所述第一层间
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使用单个掩模形成磁性隧道结的方法--第2页
电介质层及所述第一金属互连件上方，沉
积磁性隧道结材料层(2、32、12、11、
6)。使用单掩模工艺由所述材料层界定耦
合到所述第一金属互连件的磁性隧道结堆
叠。所述磁性隧道结堆叠被集成到所述集
成电路中。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
2013-07-17授权授权
2011-06-01实质审查的生效实质审查的生效
2011-04-13公开公开
2021-03-30未缴年费专利权终止未缴年费专利权终止
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权利要求说明书
1.一种用于将磁性隧道结(MTJ)装置集成到集成电路中的方法，其包含：
在半导体后段工艺(BEOL)工艺流程中提供具有第一层间电介质层及至少第一金属
互连件的衬底；
在所述第一层间电介质层及所述第一金属互连件上方沉积多个磁性隧道结材料层；
以及
使用单掩模工艺由所述多个材料层界定耦合到所述第一金属互连件的磁性隧道结堆
叠，所述磁性隧道结堆叠被集成到所述集成电路中。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含继续所述BEOL工艺流程以提供与所
述磁性隧道结堆叠连通的第二金属互连件。
3.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述多个磁性隧道结材料层包含：
沉积第一电极层；
在所述第一电极层上沉积多个磁性隧道结层；以及
在所述多个磁性隧道结层上沉积第二电极层。
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