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一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构--第1页
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明
书
(10)申请公布号
CN106205668B
(43)申请公布日2019.12.03
(21)申请号CN201610595159.1
(22)申请日2016.07.25
(71)申请人中电海康集团有限公司
地址311121浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室
(72)发明人毛欣
(74)专利代理机构杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人杨天娇
(51)Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构
(57)摘要
本发明公开了一种自旋力矩转移磁性随机
存储器的写电路结构,包括磁性隧道结,以及源
线、位线和字线、第一开关管、第二开关管、控
制单元和电容;其中,所述磁性隧道结的自由层
与第一开关管的漏极相连,所述磁性隧道结的参
考层与第二开关管的源极相连;所述第一开关管
的源极接源线,所述第二开关管的漏极接位线;
所述电容的一端接地,另一端连接到控制单元的
输入端,并连接第一开关管的漏极或磁性隧道结
一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构--第1页
一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构--第2页
的自由层;所述控制单元的输入端分别连接字
线、源线或位线、以及第一开关管的漏极或磁性
隧道结的自由层,控制单元输出端接第一开关管
和第二开关管的栅极。本发明能够避免重复的写
入动作,达到降低MRAM写功耗和芯片动态功耗的
目的。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
2016-12-07公开公开
2016-12-07公开公开
2016-12-07公开公开
2016-12-07公开公开
2016-12-07公开公开
2017-09-15实质审查的生效实质审查的生效
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2017-09-15实质审查的生效实质审查的生效
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2017-11-10著录事项变更著录事项变更
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