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不同导电类型硅单晶电学性能分析
摘要
霍尔效应有着广泛的应用，为了研究硅片的可靠性，本文将使用霍尔效应测试仪器，测量单晶硅的各项参数来验证其可靠性。本次研究使用HMS-3000霍尔效应测试仪，通过改变通入样品的电流大小和方向，并且控制加在样品上的磁场方向来测量P-Si和N-Si的电阻率、霍尔迁移率、载流子浓度等电学参数。最终发现改变电流后，样品的电阻率、迁移率、霍尔系数、载流子浓度变动幅度不大，得出该样品具有良好的可靠性。
关键词：霍尔效应，硅单晶，霍尔系数，电阻率，迁移率，载流子浓度
第一章绪论
1.1前言
随着科技的发展，霍尔效应的理论研究也不断取得进展，
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