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化学气相沉积技术的研究与应用

摘要：本文论述了化学气相沉积技术的原理和特点，接着介绍了几种应用比较广

泛的化学气相沉积技术，同时分析了化学气相沉积的应用，并进行展望。

关键字：化学气相沉积，研究，应用

化学气相沉积（CVD）是一种材料表面改性技术。它可以利用气相间的反应,

在不改变基体材料的成分和不削弱基体材料的强度条件下，赋予材料表面一些特

殊的性能。目前，由化学气相沉积技术制备的材料，不仅应用于刀具材料、耐

磨耐热耐腐蚀材料、宇航工业上的特殊复合材料、原子反应堆材料及生物医用材

料等领域，而且被广泛应用于制备与合成各种粉体材料、块体材料、新晶体材料、

陶瓷纤维及金刚石薄膜等。在作为大规模集成电路技术的铁电材料、绝缘材料、

磁性材料、光电子材料的薄膜制备技术方面，更是不可或缺[1]。

1、化学气相沉积的原理和特点

1.1、化学气相沉积的原理

化学气相沉积的基本原理：气相中化学反应的固体产物沉积到表面。它的装

置由下列部件组成：反应物供应系统，气相反应器，气流传送系统。反应物多为

金属氯化物，先被加热到一定温度，达到足够高的蒸汽压，用载气（一般为Ar

或H2）送入反应器。如果某种金属不能形成高压氯化物蒸汽，就代之以有机金

属化合物。在反应器内，被涂材料或用金属丝悬挂，或放在平面上，或沉没在粉

末的流化床中，或本身就是流化床中的颗粒。化学反应器中发生，产物就会沉积

到被涂物表面，废气（多为HCl或HF）被导向碱性吸收或冷阱。

沉积反应可认为还原反应、热解反应和取代反应几类。CVD反应可分为冷壁

反应与热壁反应。在热壁反应中，化学反应的发生与被涂物同处一室。被涂物表

面和反应室的内壁都涂上一层薄膜。在热壁反应器中只加热被涂物，反应物另行

导入。

1.2、化学气相沉积的特点

由CVD技术所形成的膜层致密且均匀，膜层与基体的结合牢固，薄膜成分

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易控，沉积速度快，膜层质量也很稳定,某些特殊膜层还具有优异的光学、热学

和电学性能，因而易于实现批量生产。但是，CVD的沉积温度通常很高，在

900℃～2000℃之间,容易引起零件变形和组织上的变化，从而降低机体材料

的机械性能并削弱机体材料和镀层间的结合力,使基片的选择、沉积层或所得工

件的质量都受到限制。目前,CVD技术正朝着中、低温和高真空两个方向发展，

并与等离子体、激光、超声波等技术相结合，形成了许多新型的CVD技术。

2、化学气相沉积技术的研究

2.1、等离子体强化的化学气相沉积技术

这种技术是利用等离子体中的电子动能来激发化学气相反应，在温度较低的

基体材料（一般不超过600℃）上进行沉积，是一种很重要的化学气相沉积技术。

这种等离子体强化的化学气相沉积中的化学反应由于高能电子的碰撞而离解，从

而激活化学反应的位垒，降低化学沉积的温度，最低的沉积温度只有300℃左右

[2-4]。

目前，等离子体强化的化学气相沉积技术除应用于半导体材料外，在刀具、

模具等领域也获得成功的运用。通过等离子体强化，已在多种钢件上沉积出TIN

等多种薄膜，采用等离子体强化的化学气相沉积技术在铝铸造模上沉积IC、Ti

（C，N）、和TIC的复合薄膜，不仅提高了模具的工作温度，模具的使用寿命也

大幅度提高，显著的优点:

(1)对高硅合金模具浇口附近的基体寿命有非凡的强化效果；

(2)覆盖性好，对有一般小孔、微缝的模具也能均匀沉积；

(3)主要在低温下进