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压电光电子学效应调控4H-SiC纳米线阵列的光电探测性能
一、引言
在过去的几十年中，压电材料及其应用成为了研究的热点领域，而硅碳（SiC）因其优越的物理化学性能而受到特别关注。作为压电材料的重要一员，4H-SiC因其高耐热性、高电子饱和速度以及宽禁带等特点，在光电探测领域中表现出显著的应用潜力。本篇论文旨在研究压电光电子学效应对4H-SiC纳米线阵列的光电探测性能的调控作用。
二、4H-SiC纳米线阵列的制备与表征
2.1制备方法
本实验采用化学气相沉积法（CVD）制备4H-SiC纳米线阵列。该方法可精确控制纳米线的生长条件，从而得到高质量的纳米线阵列。
2.2结构表征
通过扫描电子显微
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