项目4霍尔传感器.ppt

山东农业大学物理实验教学中心EdwinHall（1855～1938）霍尔效应是霍尔(Hall)24岁时在美国霍普金斯大学研究生期间，研究关于载流导体在磁场中的受力性质时发现的一种现象。霍尔效应测试仪霍尔效应实验仪由电磁铁（2500GS/A）、霍尔样品及调节架、双刀双掷开关构成。霍尔效应实验仪的部件之一：电磁铁（2500GS/A）霍尔样品及调节架调节架上的水平和垂直刻度霍尔效应测试仪YXZ4312dB(1-1)K称为霍尔元件的灵敏度，它是一个重要参数，表示该元件在单位磁感应强度和单位电流作用时霍尔电压的大小。如果霍尔元件的灵敏度K知道（一般由实验室给出），测出电流和霍尔电压，就可以根据下式求出磁感应强度B。上式中比例系数R称为霍尔系数，对同一材料R为一常数。因成品霍尔元件（根据霍尔效应制成的器件）d也是一常数。故R/d常用另一常数K来表示，有++++++++-------LxBbYd现研究一个长度为L、宽度为d的N型半导体材料制成的霍尔元件。当沿X方向通以电流后，载流子（对N型半导体是电子）e将以平均速度v沿与电流相反的方向运动，在磁感应强度为B的磁场中，电子将受到洛仑兹力的作用，其大小为ezv的方向可以由左手定则决定。在的作用下，电荷将在元件沿y的两端面堆积形成电场它会对载流子产生一静电力，其大小为它的方向与洛仑兹力相反，即它是阻止电荷继续堆积。++++++++-------LxBbYZdeV1当和达到静态平衡后，有即于是电荷堆积的两端面（Z方向）的电势差为通过的电流可表示为式中n是电子浓度，得2（1-4）3（1-5）4=就是霍尔系数可改写为将代入可得霍尔元件结构及测量电路霍尔元件结构霍尔元件的结构很简单，如图中所示，霍尔元件是由具有霍尔效应的半导体薄片、电极引线及壳体组成。霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片，在两个相互垂直方向侧面上，分别引出一对电极，共四个电极。其中a、b电极用于控制电流，称控制电极，c、d电极用于引出霍尔电势，称为霍尔电势输出极。在霍尔基片外面用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装作为外壳。在电路中霍尔元件可用两种符号表示，如下图：霍尔电极在基片上的位置及它的宽度对霍尔电势UH的影响很大。通常霍尔电极位于极片长度的中间，其宽度远小于基片的长度。输出小，但温度性能和线性度较好；1．锗(Ge)线性度最好，但带负载能力较差，通常不作单个霍尔元件；2．硅(Si)输出较大，受温度影响小，线性度较好，应用较多；3．砷化铟(InAs)输出大，但受温度影响大（尤其是低温）霍尔元件材料：4．锑化铟(InSb)2)测量电路图中控制电流I由电源UE供给，可以是直流电源或交流电源，调节电阻RW是用来调节控制电流I的大小；RL是霍尔输出电压UH的负载电阻，通常是放大电路的输入电阻或表头内阻。霍尔电压UH一般为毫伏数量级，因而实际应用时要后接差动放大器。3.误差及其补偿在实际使用中，存在着各种影响霍尔元件精度的因素，即在霍尔电动势中叠加着各种误差电势，这些误差电势产生的主要原因有两类：一类是由于制造工艺的缺陷；另一类是由于半导体本身固有的特性。不等位电势和温度是影响霍尔元件主要误差的两个因素。不等位电势及其补偿当霍尔元件的控制电流为IN时，若元件所处位置磁感应强度为零，则它的霍尔电势应该为零，但实际不为零。这时测得的空载霍尔电势称不等位电势。不等位电势与霍尔电势具有相同的数量级，有时甚至超过霍尔电势。010201霍尔元件不等位电势原理图不等位电势补偿电路,图(a)是在电阻值较大的桥臂上并联电阻，图(b)是在两相邻桥臂上并联电阻，以增加电极等效电桥的对称性。霍尔元件是采用半导体材料制成的，因此它们的许多参数都具有较大的温度系数。当温度变化时，霍尔元件的载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数都将发生化，从而使霍尔元件产生温度误差。温度误差及其补偿为了减小温度误差，除了选择温度系数小的霍尔元件(如InAs)或采取恒温措施外，由UH=KHIB可看出：采用恒流源供电是个有效措施，减小元件内阻随温度变化而引起的控制电流的变化，但是还不能完全解决霍尔电动势的稳定问题。温度补偿电路01电流