族化合物半导体.ppt

反应器缓慢通过加热器，在均匀的固态物料上形成一个熔区，上面的固液界面，温度高，固相（浓度C0）溶入溶剂区，温度较低的固液下界面即生长界面，材料以同一浓度C0结晶。是一种近平衡的生长过程，结晶生长在恒温下进行，生长温度低于材料生长的最高固相线温度，具有低温生长的优点。第37页,共44页，星期六，2024年，5月2.MBE和MOVPE法优点：（1）更适合在“原位”生长异质结和PN结；（2）实现了在面积大、质量好、实用性强的衬底上生长；（3）可进行薄层、超薄层和原子层的外延；（4）对实际生长过程进行监测；（5）批量生产.第38页,共44页，星期六，2024年，5月MBE法:在直径Ф=5cm的GaAs衬底上生长Hg1-xCdXTe和Hg1-xZnXTe薄膜,生长温度185-190℃;Cd1-XZnXTe薄膜生长温度300℃;得霍尔迁移率104~105cm2/V·s。MOVPE法：比MBE法可获得更大面积的薄膜。优点：不需要超高真空，Hg的消耗量少，降低成本，便于实用化。第39页,共44页，星期六，2024年，5月MOVPE法已在CdTe、GaAs和蓝宝石等衬底上生长了Hg1-xCdXTe外延薄膜。有机源采用DMCd和DETe，Hg的纯度为7个“9”，载气为高纯H2。生长温度为300℃。MOVPE法生长MCT有2种方法：1.直接合成法2.互扩散多层生长法第40页,共44页，星期六，2024年，5月l—H2纯化装置；2，3，4，5．6一H2气流量计；7一DMCd泡(源瓶)：8一DETe泡(源瓶)：9一掺杂源瓶；10一混合室；11一反应室：12一汞舟13一CdTe衬底；14——SiC衬垫。第41页,共44页，星期六，2024年，5月工艺过程:?将经抛光偏差小于2°的(100)CdTe衬底，放入水平反应室的SiC衬垫上;?DMCd源和DETe源保持25℃,在衬底温度为410一430℃时通H2气,氢携带的DMCd和DETe源在混合室中进行混合后流入反应室;?再通过加热的汞舟在GdTe衬底上热分解而沉积出Hg一Cd—Te外延层。第42页,共44页，星期六，2024年，5月上述方法也可先不加热汞源，而是在CdTe衬底为370一380℃时，在CdTe衬底上生长一层GdTe，然后按上述工艺步骤生长Hg—Cd—Te外延层。此方法生长的Hg—Cd—Tg外延层为n型。第43页,共44页，星期六，2024年，5月多层生长是分别交替生长CdTe和HgTe层，利用二者的互扩散形成组分均匀、稳定性好的HgCdTe层。也可以采用低Hg压直接合成法改善MCT外延层中纵向组分均匀性。除三元II-VI族化合物外，四元II-VI族化合物也制备出来，如：Hg1-x-yCdxZnyTeZn1-xCdxSySe1-y第44页,共44页，星期六，2024年，5月**能否象制备III-V族化合物晶体那样采用B203液态密封法制备II-VI族化合物晶体呢?由于B203。对II-VI族熔体产生严重的B污染(达300ppm)，而且B：u。还与II-VI族化台物有混合作用，故不能用B20s液态密封法生长晶体。另外，由于熔体生长CdS、ZnS时，硫气氛还会与石墨加热器反应，生成CS2会引起爆炸。将CdS置于石英安瓶中封闭后，放入石墨坩蜗内如图，调整好位置，待CdS熔融后，**源材料在真空（～10-4Pa）中加热蒸发，封闭系统保持生长室壁温度与源温度相近，化合物气体分子或其组分原子蒸发到衬底上，沉积、成核、长大，形成外延薄膜**有些缺陷严重影响Ⅱ-Ⅵ族化合物材料的性能。**自间隙原子对化合物半导体导电性能之影响，也是较复杂的，并与具体材料有关。**常常在研究分析中把它们略去**可从离子半径的大小来解释单、两性材料的形成：**它是由碲、镉和汞三元素构成的一种化合物材料，它们分属于II族和VI族元素故通称为Ⅱ-Ⅵ族三元素合金，但它又**加热的汞蒸气混合，其后在加热的衬底上进行热分解，沉积出Hg—Cd—Te外延**与加热的汞蒸气混合，其后在加热的衬底上进行热分解，沉积出Hg—Cd—Te外延层。其装置如图6—66所示。其工艺过程是将经抛光偏差小于2。的(100)CdTe衬底，放入水平反应室的SiC衬垫上，DMCd源和(DETe源保持25℃在衬底温度为410一430℃时通H2气。氢撰带的DMCd和DETe源在混合室中进行混合后流入反应室，再