AP50N10D50A100VTO-252场效应管规格书.pptxVIP

AP50N10D50A100VTO-252场效应管规格书本规格书详细介绍AP50N10D50A100VTO-252场效应管的特性、参数和应用。作者：

概述介绍AP50N10D50A100VTO-252场效应管是一种高功率、低压N沟道MOSFET，专为高性能电力电子应用设计。优势该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高电流容量、快速开关速度以及出色的耐用性。

型号说明AP50N10D50A100VTO-252代表场效应管的型号，包含关键参数信息。50N10表示额定电流为50A，额定电压为1000V。D50表明器件封装类型为TO-252。

主要特性高电压耐受性AP50N10D50A100VTO-252场效应管具有高达100V的漏极源极电压耐受性，适用于高压应用场景。低导通电阻该器件的导通电阻极低，仅为50mΩ，可以有效降低功耗，提高效率。高电流容量AP50N10D50A100VTO-252场效应管能够承受高达50A的电流，适用于需要高电流输出的应用。

应用领域电源管理AP50N10D50A100VTO-252场效应管适用于电源管理应用，例如电源转换器和稳压器。电机控制该场效应管可用于电机控制系统，例如电动汽车和工业自动化。照明系统AP50N10D50A100VTO-252场效应管适用于LED照明系统，提供高效的电源控制。

器件外形及引脚布置AP50N10D50A100VTO-252场效应管采用TO-252封装形式。该封装形式由三个引脚和一个金属底座组成，引脚通过金属底座与外部电路连接。

引脚定义源极(S)电流流入器件的端点。漏极(D)电流流出器件的端点。栅极(G)控制电流流动的端点。

功率和热特性50功率最大功率为50瓦175热阻结点到环境热阻为1.75°C/W

额定电压和电流参数值单位漏极-源极电压(VDSS)100V漏极电流(ID)50A栅极-源极电压(VGS)±20V

开关特性典型值最大值

栅极参数参数符号典型值单位栅极-源极阈值电压Vgs(th)2.5V栅极-源极电压Vgs-10~10V栅极电容Cgs1500pF栅极漏电流Igs100nA

源极参数源极电流(IDSS)在栅极电压为零时，漏极电流的最大值。源极导通电阻(RDS(on))当器件处于导通状态时，源极到漏极之间的电阻。

漏极参数100最大漏极电流10最大漏极-源极电压10最大漏极-栅极电压

输入特性100最大输入电阻典型值：100兆欧5输入电容典型值：5皮法1输入电流最大值：1微安

输出特性输出特性曲线描述了器件在不同输出电压下的电流变化。

反向传输特性参数条件最小值典型值最大值单位输出电导VDS=-10V,IG=0mA0.1110μS

极限参数MinimumMaximum

静态电气特性参数符号最小值典型值最大值单位漏极-源极间击穿电压VDSS100--V漏极-栅极间击穿电压VDSG100--V源极-栅极间击穿电压VSGS20--V最大连续漏极电流ID--50A最大漏极-源极间电压VDS--100V最大栅极-源极间电压VGS--20V最大栅极电流IG--100μA输入电阻Rin1012--Ω反向传输电容Crss-50-pF输出电容Coss-120-pF前向传输电容Ciss-170-pF

典型特性曲线AP50N10D50A100VTO-252场效应管的典型特性曲线包括：输出特性曲线输入特性曲线转移特性曲线安全工作区曲线漏极电流与温度曲线

安全处理静电放电保护在操作此器件时，请使用适当的防静电措施来防止静电损坏。焊接注意事项焊接时，请使用合适的焊料和温度，并确保焊接时间短，避免过度加热损坏器件。安全操作操作此器件时，请佩戴适当的防护装备，例如护目镜和手套，以避免意外伤害。

可靠性试验高温存储高湿存储机械振动机械冲击

环境条件工作温度该器件可在-55°C至150°C的温度范围内工作。储存温度该器件可在-65°C至175°C的温度范围内存储。湿度该器件能够在高达95%的相对湿度下工作。

机械特性封装类型AP50N10D50A100VTO-252场效应管采用TO-252封装，这是业界通用的封装类型。引脚间距引脚间距符合行业标准，确保良好的电气连接和可靠性。尺寸和重量该器件尺寸紧凑，重量轻，方便安装和集成到各种电路板中。

包装信息包装类型AP50N10D50A100VTO-252场效应管通常采用管状包装，提供可靠的保护和储存。包装数量每个包装盒中通常包含多个场效应管，以满足不同应用需求。

质量保证严格测试我们对每批产品都进行严格的测试，以确保其符合最高的质量标准。可靠性保证我们致力于提供可靠且耐用的产品，并提供全面的质量保证。

更多信息本规格书提供AP50N10D50A100VTO-252场效应管的基本信息，如您需要了解更多关