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AIGaN基紫外LED器件结构优化及其发光特性研究

GaN基紫外LED器件结构优化及其发光特性研究

一、引言

随着科技的进步和人类对高效、环保照明技术的需求，紫外LED器件的研发成为了光电领域的研究热点。其中，GaN基紫外LED器件因其具有优异的物理特性和光电性能，备受关注。本文旨在探讨GaN基紫外LED器件的结构优化及其发光特性的研究，为推动其实际应用提供理论依据和技术支持。

二、GaN基紫外LED器件概述

GaN基紫外LED器件主要由GaN基半导体材料构成，其核心结构包括N型层、发光层和P型层等。其优点在于，GaN材料具有较宽的能带间隙，适用于制造短波长的紫外LED器件。然而，其器件性能受