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中国科学院大学

2020年招收攻读硕士学位研究生入学统一考试试题

科目名称：半导体物理

考生须知：

1．本试卷满分为150分，全部考试时间总计180分钟。

2．所有答案必须写在答题纸上，写在试题纸上或草稿纸上一律无效。

3．可以使用无字典存储和编程功能的电子计算器。

一、（共50分，每题5分）解释下列名词或概念

1.等同的能谷间散射2.杂质电离能

3.理想MIS结构的平带状态4.准费米能级

5.pn结扩散电容6.价带的有效状态密度

7.表面复合速度8.自由载流子吸收

9.费米分布函数10.半导体的汤姆逊效应

二、（共20分，每题10分）简答题

1.简述理想MIS结构的高频C-V特性（以p型半导体为例）。

2.1963年，Gunn发现，给n型GaAs两端电极加以电压使得GaAs内电场超过3×103V/cm时，电流便会以很高的频率振荡，这个效应称为耿氏效应（Gunneffect）。1964年Koremer指出，这与微分负阻理论一致。请结合GaAs的能带结构，简述GaAs在高场下出现负阻效应的原因。

三、（20分）某正方结构二维晶体，晶格常数为a。与原子能级εi对应的能带具有色散关系：E(kx,ky)=εi+J0+2J1(coskxa+coskya)，J0和J1为小于零的常数。

(1)该二维晶体的倒格子是什么结构？给出第一布里渊区k的取值范围。

(2)画出第一布里渊区内沿[1,1]方向，电子有效质量随波矢k的变化关系曲线me*(k)。

(3)设该能带为满带，在能带底处去除一个电子，形成一个空穴，计算倒空间中沿[1,1]方向的空穴的有效质量和运动速度。

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四、（20分）掺硼的非简并p型硅中含有一定浓度的铟，在室温（300K）下，测得电阻率ρ=2.84Ω·cm。已知所掺硼浓度为NA1＝1016cm-3，硼的电离能ΔEA1=EA1－EV＝0.045eV，铟的电离能ΔEA2＝EA2－EV＝0.16eV。求该半导体中铟的浓

度NA2。（设m=0.59m0，空穴迁移率μp＝200cm2/V·s，电子电量q=1.6×10－19C，

电子静止质量m0=9.1×10-31kg，普朗克常数h＝6.63×10-34J?s，波耳兹曼常数k=1.38×10-23J/K）

五、（20分）n型硅片表面受均匀恒定的高能光子照射，在表面注入的非平衡少数载流子浓度为5×1011cm-3。设少子寿命为10μs，少子迁移率为500cm2/V.s，波耳兹曼常数k＝1.38×10-23J/K，电子电量q=1.6×10-19C，样品足够厚。计算室温(300K)下：

(1)非平衡少数载流子的扩散长度LP；

(2)在距离表面2Lp处少子的净复合率；

(3)在距离表面2Lp处少子的扩散电流密度。

六、（20分）有机/无机复合接触能够形成整流接触，可在很多方面得到应用。现有一高电导的有机半导体Q（功函数WQ=5.06eV）和n型晶体Si（亲合能X=4.06eV）形成整流接触，设该接触类似理想金属-半导体整流接触（界面间隙为零，不存在表面态，不考虑镜像力和隧道效应等），且位于室温300K下。

(1)示意地画出热平衡时Q/n-Si接触的理想能带图；

(2)设n型硅的掺杂浓度ND=2.8×1015cm-3，导带的有效状态密度NC=2.8×1019cm-3，求热平衡时有机半导体一边的势垒高度qφns、硅这边的势垒高度qVD和硅中的耗尽区宽度Xd；

(3)分别写出小注入下多子电流和少子电流的J-V关系。设少子寿命为100μs，少子迁移率为500cm2/V.s，计算室温下少子与多子电流密度的比值。（真空介电常数ε0=8.85×10-14F/cm，硅的相对介电常数εr=12，电子电量q=1.6×10-19C，有效理查逊常数A*=240A/cm2K2，本征载流子浓度ni=1.0×1010cm-3，室温下kT=0.026eV）