模拟电子技术第一章晶体二极管.ppt

小信号分析法即将电路中的二极管用小信号电路模型代替，利用得到的小信号等效电路分析电压或电流的变化量。分析步骤：将直流电源短路，画交流通路。用小信号电路模型代替二极管，得小信号等效电路。利用小信号等效电路分析电压与电流的变化量。第1章晶体二极管第38页,共42页，星期六，2024年，5月1.4晶体二极管的应用电源设备组成框图：电源变压器整流电路滤波电路稳压电路vivotvitv1tv2tv3tvo第1章晶体二极管第39页,共42页，星期六，2024年，5月整流电路1.4.1整流与稳压电路D+-+-RvOvi当vi0V时，D导通，则vO=vi当vi?0V时，D截止，则vO=0V由此，利用二极管的单向导电性，实现了半波整流。若输入信号为正弦波：平均值：VOtOvitOvO第1章晶体二极管VimVim第40页,共42页，星期六，2024年，5月稳压电路某原因VO??IZ???I?限流电阻R：保证稳压管工作在IZmin~IZmax之间稳压原理：VO??VR?VO=VZ输出电压：D+-+-RRLILVIVOIZI第1章晶体二极管第41页,共42页，星期六，2024年，5月1.4.2限幅电路(或削波电路)?V2viV1时，D1、D2截止，vo=vitOvitOvoVi?V1时，D1导通、D2截止，vo=V1Vi??V2时，D2导通、D1截止，vo=V2由此，电路实现双向限幅功能。vovi+-D1+-+-RD2V1-V2+-其中：V1为上限幅电平，?V2为下限幅电平。V1-V2-V2V1第1章晶体二极管第42页,共42页，星期六，2024年，5月*需两个动画*加动画*加动画*加动画*加动画*加动画*加动画*加动画*加动画*加动画*加动画1.1半导体物理基础知识半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。硅(Si)、锗(Ge)原子结构及简化模型：+14284+3228418+4价电子惯性核第1章晶体二极管第6页,共42页，星期六，2024年，5月硅和锗的单晶称为本征半导体。它们是制造半导体器件的基本材料。+4+4+4+4+4+4+4+4硅和锗共价键结构示意图：共价键1.1.1本征半导体第1章晶体二极管第7页,共42页，星期六，2024年，5月本征激发当T升高或光线照射时产生自由电子空穴对。共价键具有很强的结合力。当T=0K(无外界影响)时，共价键中无自由移动的电子。这种现象称注意：空穴的出现是半导体区别于导体的重要特征。本征激发。第1章晶体二极管第8页,共42页，星期六，2024年，5月当原子中的价电子激发为自由电子时，原子中留下空位，同时原子因失去价电子而带正电。当邻近原子中的价电子不断填补这些空位时形成一种运动，该运动可等效地看作是空穴的运动。注意：空穴运动方向与价电子填补方向相反。自由电子—带负电半导体中有两种导电的载流子空穴的运动空穴—带正电第1章晶体二极管第9页,共42页，星期六，2024年，5月温度一定时：激发与复合在某一热平衡值上达到动态平衡。热平衡载流子浓度热平衡载流子浓度：本征半导体中本征激发——产生自由电子空穴对。电子和空穴相遇释放能量——复合。T导电能力ni或光照热敏特性光敏特性第1章晶体二极管第10页,共42页，星期六，2024年，5月N型半导体：1.1.2杂质半导体+4+4+5+4+4简化模型：N型半导体多子——自由电子少子——空穴自由电子本征半导体中掺入少量五价元素构成。第1章晶体二极管第11页,共42页，星期六，2024年，5月P型半导体+4+4+3+4+4简化模型：P型半导体少子——自由电子多子——空穴空穴本征半导体中掺入少量三价元素构成。第1章晶体二极管第12页,共42页，星期六，2024年，5月杂质半导体中载流浓度计算N型半导体(质量作用定理)(电中性方程)P型半导体杂质半