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模拟电子技术模拟电子技术三极管的结构、符号和分类三极管的电流分配和放大作用三极管的特性曲线应用电路举例三极管的选择要点三极管的主要参数0102030405061.3半导体三极管collector一、结构、符号和分类NNP发射极E基极B集电极C发射结集电结—基区—发射区—集电区emitterbaseNPN型PPNEBCPNP型ECBECB特点：三区、三极、二结。01分类：02按材料分：硅管、锗管03按功率分：小功率管500mW04按结构分：NPN、PNP05按使用频率分：低频管、高频管06大功率管1W07中功率管0.5?1W双极性晶体管的常见外形图如图图2.3.2三极管外形图二、放大条件、电路及电流分配1.三极管放大的条件内部条件发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低集电结面积大外部条件发射结正偏集电结反偏2.满足放大条件的三种电路uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共发射极共集电极共基极即：对于NPN管，VCVBVE；对于PNP管，VEVBVC。IE=IC+IB三极管的电流分配关系共射电流放大倍数，表征三极管的电流放大能力，一般为20~200之间.三、三极管的特性曲线输入特性输入回路输出回路与二极管特性相似O特性基本重合(电流分配关系确定)特性右移(因集电结开始吸引电子)导通电压UBE(on)硅管：(0.6?0.8)V锗管：(0.2?0.3)V取0.7V取0.3V二、输出特性iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O24684321截止区：IB?0IC=ICEO?0条件：两个结反偏截止区ICEOiC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O246843212.放大区：放大区截止区条件：发射结正偏集电结反偏特点：水平、等间隔ICEOiC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O246843213.饱和区：uCE?uBEuCB=uCE?uBE?0条件：两个结正偏特点：IC??IB临界饱和时：uCE=uBE深度饱和时：0.3V(硅管)UCE(SAT)=0.1V(锗管)放大区截止区饱和区ICEO三、温度对特性曲线的影响1.温度升高，输入特性曲线向左移。温度每升高1?C，UBE?(2?2.5)mV。温度每升高10?C，ICBO约增大1倍。OT2T12.温度升高，输出特性曲线向上移。iCuCET1iB=0T2iB=0iB=0温度每升高1?C，??(0.5?1)%。输出特性曲线间距增大。O四、三极管的主要参数（一）电流放大系数1.共发射极电流放大系数iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O24684321—直流电流放大系数?—交流电流放大系数一般为几十?几百Q是共射直流电流放大系数，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O246843212.
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