半导体薄膜的制备实验的特殊性及教学尝试.ppt

半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试时如何解决？为什麽需要在平时就测定各种溅射功率下的薄膜生长速率？膜厚监测中突然出现膜厚数值的迅速增加或“晶无效”题？有时靶片沸腾而迅速蒸发，同时压强控制仪失灵的原因是什麽？当用锌金属靶与氧气进行反应溅射时，会出现那些问泵减速时，将真空室与分子泵之间的真空阀微开有何作用？在对真空室进行通气时为何要关闭分子泵？在分子半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试*半导体薄膜的制备实验的特殊性及教学尝试中国科学技术大学物理系 邮政编码：230026Tel:0551-3607574 Fax:0551-3601073E-许小亮徐军刘洪图半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试按实验内容的基础普遍性、难易程度与学生知识水平相适应分为四级实验一级实验：基本操作与测量，普及型三级实验：逐步增加综合性与设计性实验的比例及难度，由教师安排，过渡到学生自己设计实验，自己准备仪器完成实验。培养综合思维和创造能力。四级实验以科研实践为主题，以科学研究的方式进行实验教学，培养学生独立科研的能力。0102四级物理实验的宗旨半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试达到以上要求的难点

（对三、四级实验而言）（1）三、四级实验的对象是理科和物理类学生，有几百人参加。设备和师资有限，可能带来如下问题：设备总量将严重不足实验周期大大拉长，指导教师工作量大大增加（2）由于增加了具有时代性和先进性的现代实验，引入了一些大型或高精尖设备，不可能让每人得到充分的操作训练，可能带来如下问题：实验设备少，操作受限；操作规程过于规范，束缚思维实验先进，大大超前理论：知其然不知其所以然实验标题及方法固定，实际上就难以切入真正的科研解决方法：半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试（1）实验闲隙中（如抽真空等待时），以计算机演示的方式，向同学讲解：固体物理和半导体物理预备知识实验原理和操作规程（2）每次实验必须打开真空室，结合实物讲解（3）请同学自己总结问题和提出问题（4）利用学期近结束时的开放时间安排科研实践活动半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试ZnO透明导电薄膜和金属电极的制备预备知识：半导体结构及导电性（为没有学过“固体物理”的学生准备,另有演示,此处从略）半导体的晶体结构,晶格、晶向、晶面和它们的标志,半导体的几种常见结构（金刚石型结构，闪锌矿、纤锌矿结构，氯化钠结构）半导体中的电子状态和能带:原子的能级和晶体的能带（导带，禁带和价带）半导体中的杂质和缺陷能级，间隙位与替位位，施主与受主，补偿，n型与p型半导体，缺陷与位错，半导体中的掺杂ZnO薄膜的制备下是计算机部分演示半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试透明导电ZnO薄膜及金属电极的制备演示中国科学技术大学物理系薄膜制备及性能测试实验室01030204半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试实验内容介绍金属电极制备.磁控溅射制备ZnO薄膜相关准备工作----化学清洗和靶材制备ZnO薄膜的基本性质薄膜材料简介一、薄膜材料简介半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试应用领域：材料科学、能源、信息、微电子工业等;尤其宽禁带半导体光电功能材料，已成为各国研究的重点。研究目的：利用新材料制备具有最佳性能的器件提高生产率，降低成本;发展方向：透明导电薄膜、具有低电阻、高透射率等可作为透明导电窗口.（1）薄膜材料01用掺氧化铝的氧化锌粉末靶→真空蒸发或磁控溅射→制备半导体透明导电薄膜→测量薄膜的光电特性.（2）ZnO薄膜及金属电极的制备实验方法：02半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试二、ZnO薄膜的基本性质

几种宽禁带半导体基本性质比较三、真空蒸发制备金属电极半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试1、真空蒸发原理：真空条件下---蒸发源材料加热---脱离材料表面束缚---原子分子作直线运动----遇到待沉积基片---沉积成膜。2、真空镀膜系统结构：（1）真空镀膜室（2）真空抽气系统（3）真空测量系统旋片泵结构及工作原理示意图半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试