低介装置陶瓷.ppt

2-2典型低介装置瓷高导热陶瓷材料特征比较第6章Internet应用基础2-2典型低介装置瓷第6章Internet应用基础(1)氧化铍瓷性能指标密度/(g/cm3)2.9热导率/(W/m?℃)310热膨胀系数/(10-6/℃)7.2抗弯强度/(MN/m2)195介电常数6.5~7.5介电损耗0.005绝缘电阻率/Ω?m1012关键：降低烧结温度添加剂：MgO、Al2O3问题：加入添加剂会使热导率降低Be-O共价键较强平均原子量仅122-2典型低介装置瓷第6章Internet应用基础(2)氮化铝瓷性能指标热导率/(W/m?℃)可达280热膨胀系数/(10-6/℃)3.5抗弯强度/(MPa)500介电常数(1MHz)8.8介电损耗5×10-4绝缘电阻率/Ω?m5×1011Al-N共价键强平均原子量20.49热导率高热膨胀系数与Si接近3～3.8晶体结构晶系主要半导体材料金刚石型立方C(金刚石)、Si、Ge、灰-锡闪锌矿型立方BN①，BP，AlP，GaP，InP，BAs，

AlAs，GaAs，InAs，BSb，AlSb。

GaSb，InSb，ZnO①，ZnS①，

CbS①，HgS①，ZnSe，CdSe①，

HgSe，ZnTe，CdTe纤锌矿型六方BN①，AlN，GaN，InN，ZnO①．

?

ZnS①，CdS①，HgS①。CdSe①氯化钠型立方CdO，PbS，PbSe，PbTe纤锌矿型多出现于两种原子间负电性差大、化学键中离子键成分高的二元化合物中01直接氮化法。这也是最早用来制备氮化铝02粉末的方法。其反应式为：032Al+N2→2AlN04该反应属强放热反应，故必须小心控制工艺，05以免形成大的的熔融“铝珠”，此反应属气固扩散06控制，因此需高温长时间反应，产物晶粒粗大，07质量稳定性差。为加速氮化反应，有时加入CaF208或NaF作触媒。1.氮化铝粉末制备01自蔓延法，其反应式与上述一样。02此工艺特点是反应速度极快，成本低廉，03适于工业化生产，所得粉体粒径小于10μm04粒径分布不均匀。01碳热还原氮化法。02其反应式：032Al2O3+3C+N2→2AlN+3CO04为保证反应完全，在配料中往往加入过量碳，05因此得到的AlN粉需在空气中700℃进行脱碳06处理，除去残余的碳，得到AlN粉末粒度细，07含氧量低，纯度高。标题01铝的卤化物与氮反应法。02此法也称气相法，其反应式为：04由于副产品为HCl，故产业化比较麻烦。03AlCl3+NH3→AlN+3HCl1有机盐裂解法。其反应式为：2RH-RH-RH5原料成本昂贵。4此工艺特点是可连续生产，制备粉末高纯超细，3R3Al+NH3→R3AlNH3→(R2AlNH2）2→（RAlNH）x→AlN超微AlN粉末制备。此工艺是将铝粉在电弧等离子体中蒸发并与氨反应生成AlN，可制得粒度为30nm，比表面为60-100m2/g的超细粉末。此外，还可将铝在低压N2或NH3中用电子来加热使之蒸发并与含氮气体反应，可制得粒度小于10nm的超微AlN粉。01氮化铝属共价键化合物，一般需采用02添加烧结助剂，在高温下与AlN粉表面的03氧化铝反应形成液相，通过液相烧结机制04完成致密化，常用烧结技术有常压烧结和05热压烧结。2.氮化铝陶瓷制备技术01氮化铝作为电子工业应用，其热导率是考虑02的重要性能指标。大量研究表明，氧的存在是影03响AlN热导的主要因素，因此在考虑选择烧结04助剂时，除了能促进致密化外，还能消耗掉氮化05铝颗粒表面上的氧去形成第二相（通常为铝酸06盐）。碱土金属氧化物和稀土金属氧化物在往07是考虑的对象。从显微结构上考虑，要提高AlN热导必须01尽量减少晶界相量，净化AlN晶粒间接触，第02二相应处于三晶粒交接处，或完全被排除。03为此通过选用适当配比的烧结助剂形成可迁04移液相，在还原性气氛中长时间烧成或进行05烧结后热处理，使液相转移至三叉晶界处以06至排出烧结体，这样使AlN陶瓷导热性能提高。0701近年来AlN陶瓷另一个研究动向是降低03结成本降低，以提高AlN陶瓷产品的竞争力，05助剂,在1600℃-48h条件下，能得到热导率接近02烧结温度，把烧结温度降至1600℃附近，使烧0