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电源的几种拓扑结构

电源的拓扑结构主要可以分为非隔离式和隔离式两大类。

一、非隔离式拓扑结构

Buck降压

原理:利用一个开关管、一个电感器和一个电容器来实现电能的储存和输出。当开关管导通时,电感器储存能量;当开关管断开时,电感器释放能量,实现降压功能。

特点:结构简单,效率高,适用于需要降压的应用,如手机充电器、电脑电源等。输出电压始终小于或等于输入电压,输入电流不连续,但输出电流平滑。

Boost升压

原理:与Buck结构类似,但能实现升压功能。当开关管导通时,电感器储存能量;当开关管断开时,电感器与电容器共同作用,提升输出电压。

特点:适用于需要将输入电压升压的应用,如电动车电池管理系统、太阳能充电器等。输出电压总是大于或等于输入电压,输入电流平滑,但输出电流不连续。

Buck-Boost降压-升压

原理:结合Buck和Boost的特点,能同时实现升压和降压功能。

特点:在电池供电的应用中特别有用,输入电压可变时能保持输出电压稳定。但输出电压的极性与输入电压相反,且输入、输出电流都不连续。

SEPIC(单端初级电感变换器)

特点:输出电压可高于或低于输入电压,输入电流平滑但输出电流不连续。能量通过电容从输入端传输至输出端,需要两个电感。

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特点:输出电压反相,幅度可以大于或小于输入电压。输入电流和输出电流都保持平滑,减少噪声。能量通过电容从输入传输到输出,需要使用两个电感,电感可以耦合以获得零纹波的电感电流。

二、隔离式拓扑结构

Flyback反激

原理:使用一个开关管、一个变压器和一个电容器来实现电能的储存和输出。开关管的通断控制变压器中能量的储存和释放,实现输出电压的调节。

特点:可实现降压或升压功能,同时提供隔离保护。输出电压正负可调,大小由变压器的匝数比决定。广泛应用于各种电子设备中,但峰值电流非常高,不太适合大电流输出。

Forward正激

原理:降压电路的变压器耦合形式,不连续的输入电流,平滑的输出电流。因为采用变压器,输出可以大于或小于输入,可以是任何极性。

特点:适合中等功率应用,提供良好的效率。在每个开关周期中必须对变压器磁芯去磁,常用的做法是增加一个与初级绕组匝数相同的绕组。通过增加次级绕组和电路,可以获得多个输出电压。

Two-TransistorForward双晶体管正激

特点:电路中的两个开关需要协同工作,开关断开时能量释放。主要优点是开关上的电压不会超过输入电压,提高了电路的可靠性。无需复位绕组磁芯,变压器磁芯利用率高。

Push-Pull推挽

原理:开关(FET)的驱动不同相,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。

特点:适合对称输出的中功率应用,良好的变压器磁芯利用率(在两个半周期中都传输功率)。全波拓扑结构使得输出纹波频率为变压器频率的两倍。但施加在FET上的电压是输入电压的两倍,且开关应力非常高。

HalfBridge半桥

特点:常用于高功率转换器。FET开关管交替驱动,通过PWM控制输出电压。变压器磁芯利用率高,初级绕组利用率优于推挽电路。全波拓扑结构使得输出纹波频率为变压器频率的两倍。FET承受的电压等于输入电压。

FullBridge全桥

特点:最常用的高功率转换器拓扑结构。FET成对角驱动,通过PWM控制输出电压。变压器磁芯利用率高,两半周期都传输功率。全波拓扑结构使得输出纹波频率为变压器频率的两倍。FET承受的电压与输入电压相等。在同功率条件下,初级电流为半桥电路的二分之一。

不同的电源拓扑结构具有各自的特点和适用场景。

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