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摘要
随着芯片制程逐渐进入量子尺度,平面集成电路技术逐渐难以满足需求,三
维集成技术的重要性日益提升。三维集成封装是后摩尔时代继续推动器件小型化,
集成化的重要手段之一。其中,无源集成技术是决定集成器件性能的关键节点,
尤其是无源电感器,在性能和集成度方面都落后于其他微电子器件的发展。玻璃
基集成电感采用玻璃材料为基板,具有良好的微波性能和较低的制造成本,与新
一代的三维集成技术有很强的兼容性,是电感器的最佳选择。
本文从电感器模型和HFSS仿真两方面论证了电感器端口,拓扑结构,基板
材质等因素对电感器性能的影响,并针对各向工艺误差进行了理论分析。最终根
据仿真结果设计了玻璃基集成电感器。
本文优化了玻璃基集成电感器件的设计制造方式,采用激光诱导刻蚀技术,
开发了玻璃盲槽制造工艺,使用玻璃盲槽代替RDL方案,使表面线制造无需光
刻。克服了玻璃基集成电感表面线厚度限制,避免了电感表面线在集成过程中造
成翘曲。本文提出了基于玻璃通孔和玻璃盲槽的三维集成电感制造方法,简化了
电感器制造流程,并对相应的通孔制造的激光诱导刻蚀各影响因素进行了优化分
析,确定了高直通度的通孔制造参数;对盲槽制造激光诱导刻蚀各影响因素进行
了优化分析,确定了合适的激光参数与刻蚀参数;对溅射工艺进行了分析优化,
筛选出具有适宜膜厚和高成膜质量的溅射参数;使用电镀工艺完成通孔和盲槽的
金属填充;对抛光工艺进行了优化分析,选择了合适的抛光参数。此外,本文提
出了基于玻璃直接键合的空气芯集成电感制造方法,并对相应的空腔制造,玻璃
键合工艺进行了分析优化。
本文制造了玻璃盲槽电感在工作频率下品质因数为46.1,电感值为10.79nH,
电感值密度为68.5nH/mm2。空气芯电感在工作频率下品质因数为61.9,电感值
为13.63nH,电感值密度为37.9nH/mm2。
关键词:集成电感,激光诱导刻蚀技术,玻璃通孔技术
ABSTRACT
Aschipprocessesgraduallyenterthequantumscale,planarintegratedcircuit
technologyisbecomingincreasinglyinadequate.Therefore,theimportanceofthree-
dimensionalintegrationtechnologyisincreasing.Three-dimensionalintegrated
packagingisoneoftheimportantmeanstocontinuepromotingdeviceminiaturization
andintegrationinthepost-Mooreera.Passiveintegrationtechnologyisacrucialfactor
indeterminingtheperformanceofintegrateddevices.Thisisparticularlytruefor
passiveinductors,whichhavenotkeptpacewiththedevelopmentofother
microelectronicdevicesintermsofperformanceandintegration.Glass-basedintegrated
inductorsutiliseglassasthesubstrate,providingexcellentmicrowaveperformanceand
lowmanufacturingcosts.Theyarehighlycompatiblewiththenewgenerationof3D
integrationtechnology,makingt
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