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MXene制备方法及其作为导电银浆增强相的应用[发明专利]

一、MXene的制备方法

MXene的制备方法主要基于二维材料剥离技术，通过在金属离子溶液中引入强还原剂，使金属离子还原成金属原子，金属原子在溶液中与水分子发生剧烈反应，形成二维金属原子层。该过程通常涉及以下步骤：(1)选择合适的金属前驱体，如TiO2、MoS2等，通过湿法或干法工艺将其转化为金属离子溶液；(2)向金属离子溶液中加入还原剂，如硼氢化钠(NaBH4)、金属氢化物等，还原金属离子成金属原子；(3)在剧烈搅拌的条件下，金属原子与水分子发生水解反应，生成MXene层；(4)通过过滤、洗涤等步骤去除杂质，得到纯净的MXene纳米片。以TiO2为前驱体的MXene制备为例，反应温度控制在90°C左右，反应时间约为2小时，所得MXene的厚度约为0.3-0.5纳米，面积为1-10平方微米。通过调控反应条件，如还原剂浓度、反应时间等，可以实现对MXene尺寸、形貌和性能的调控。例如，在TiO2制备MXene的过程中，通过优化反应条件，可以得到不同形貌的MXene，如纳米带、纳米片等，这些MXene在导电、导热、催化等领域具有广泛的应用前景。

MXene的制备方法还包括化学气相沉积法(CVD)和原子层沉积法(ALD)。CVD法是在高温下，通过气相反应生成MXene层，该方法制备的MXene具有均匀的厚度和良好的分散性。例如，在CVD法制备MXene的过程中，以TiCl4为前驱体，在900°C的高温下，通过气相反应生成TiO2纳米片，再通过水解反应形成MXene层。ALD法则是在低温下，通过交替沉积金属原子和氧化剂分子，形成MXene层。该方法制备的MXene具有优异的均匀性和可控性。例如，在ALD法制备MXene的过程中，以TiCl4和H2O为前驱体，在100°C的低温下，通过交替沉积Ti原子和O原子，形成MXene层。实验表明，CVD法制备的MXene导电性可达1000S/cm，而ALD法制备的MXene导电性可达10000S/cm。

近年来，随着MXene制备技术的发展，研究者们开始探索新型MXene的制备方法。例如，通过溶液合成法，利用金属离子与聚合物或有机分子发生络合反应，制备具有特殊功能的MXene。这种方法制备的MXene具有优异的生物相容性和生物降解性，在生物医学领域具有潜在应用价值。此外，研究者们还尝试将MXene与其他二维材料复合，制备具有协同效应的新型MXene复合材料。例如，将MXene与石墨烯复合，制备的复合材料在导电、导热和机械性能方面均得到显著提升。这些新型MXene的制备方法为MXene的应用提供了更多可能性。

二、MXene作为导电银浆增强相的应用

MXene作为导电银浆增强相的应用，在电子和电气领域展现出显著的优势。首先，MXene具有极高的比表面积和优异的电子传输性能，能够显著提高导电银浆的导电性。例如，在柔性电子器件的制备中，将MXene添加到导电银浆中，可以使得导电银浆的导电率从原来的20S/cm提升至100S/cm以上，这对于提高器件的传输效率和降低能耗具有重要意义。此外，MXene的化学稳定性良好，能够在高温和恶劣环境下保持稳定的导电性能，这使得MXene在高温电子器件中的应用成为可能。

其次，MXene的引入能够显著改善导电银浆的力学性能。在传统的导电银浆中，银颗粒的团聚现象会导致导电性能下降。而MXene的加入能够有效抑制银颗粒的团聚，同时MXene本身具有良好的机械强度，能够增强导电银浆的粘附性和抗冲击性。这一特性在柔性电路板和柔性电子器件的制造中尤为关键，因为它可以使得器件在弯曲和折叠过程中保持良好的导电性能，延长器件的使用寿命。

最后，MXene在导电银浆中的应用还具有环保和成本效益。MXene材料的制备过程相对环保，且成本较低，这有助于降低导电银浆的整体生产成本。同时，MXene的加入可以减少银的使用量，这对于减少环境污染和促进资源循环利用具有重要意义。例如，在智能手机屏幕的导电层中，通过添加少量MXene，可以显著降低银的用量，同时保持或提高导电性能，这对于降低电子产品成本和实现绿色制造具有重要意义。因此，MXene作为导电银浆增强相的应用前景广阔，有望在电子和电气领域得到广泛应用。

三、MXene在导电银浆中的应用优势

(1)MXene在导电银浆中的应用显著提升了导电性。由于MXene具有极高的比表面积和优异的电子传输性能，其加入导电银浆后，可以显著提高浆料的导电率，达到甚至超过纯银的导电性能。在电子元件中，如印刷电路板（PCB）和柔性电子器件中，这种提升有助于提高数据传输速度，减少能耗，对于提高电子产品的整体性能具有重要作用。

(2)MXene能够增强导电银浆的机械稳定性。