压力计量测试技术.ppt

①检测元件工作原理位移电容转换等效电容法，求CL和CH①检测元件工作原理球面形固定电极B平膜片电极Ａ测量膜片变形球-平面型电容器C0忽略边缘效应01位移忽略边缘效应转换单元积分法求Ｃ0和ＣＡ0203电容球-平面型电容器CA求解C0C0AB求解C0而∵ΔＲB极上宽度为dr，长度为2πr的环形窄带与A极初始位置电容量:求解C0[0，b]上积分求解CA求解CA图中点划线为挠曲平面，其宽度为dr’，长度为2πr’的环形窄带与动膜片初始位置间电容量为膜片挠度求解CA积分[0，b]①检测元件工作原理位移电容转换优点：金属丝或箔式应变片性能稳定，精确度高，已得到广泛应用。缺点：灵敏度系数较小（2.4~2.6），对粘贴工艺要求严格。0102（1）金属电阻丝应变片式传感器半导体的定义：是指常温下导电性介于导体和绝缘体之间的材料。1半导体材料：掺杂质的单晶硅或锗，具有晶体属性，即各向异性。2导电特性：半导体通过电子或空穴传导的方式传输电流。3压阻式传感器制作工艺：在半导体材料上用扩散方法形成的电阻；4特点：灵敏系数大、弹性元件和应变电阻集成在一起，易大批量生产，利于微型化、集成化和智能化。5（2）半导体压阻式传感器（2）半导体压阻式传感器影响很小压阻效应——晶体在受到应力作用后，其电阻率发生明显变化，这种现象被称为压阻效应。（3）固态压阻器件在硅膜片上，扩散Ｐ型电阻，根据方向不同，分为径向电阻和切向电阻（3）固态压阻器件膜片方法：分析硅膜片上应变分布状况半导体电阻（力敏电阻）分布设计？（3）固态压阻器件若圆形硅膜片周边固定，在均布压力ｐ作用下，当膜片位移远小于膜片厚度时，则膜片的应力分布为：硅膜片上应变分布状况硅膜片上应变分布状况半导体电阻（力敏电阻）分布设计635ｒ半径的内外分别扩散两个Ｐ型硅电阻测量桥路与温度补偿把硅底膜片上扩散的４个P型应变电阻，接成惠斯通电桥；阻值增加的两个电阻对面布置；阻值减小的两个电阻对面布置?电桥灵敏度最大;电桥电源有恒压源和恒流源两种。电阻应变式压力变送器①电桥电源恒压源供电电桥电桥输出电压为假设1：４个电阻的初始值为Ｒ，当有压力时，应力?电阻值两个↑ΔＲ，两个↓ΔＲ。假设2：温度变化?每个电阻值ΔＲｔ；恒压源供电电桥整理若说明电桥输出Uo~ΔR/R~P(被测压力)；与U的大小和精度有关；当ΔＲｔ≠0时，还与温度有关；恒压源供电原理的测量桥路，不能消除温度的影响。假设：两个支路的电阻相等，即桥路输出恒流源供电电桥说明电桥输出Uo~ΔR~P(被测压力)；与电流源I的大小和精度有关；与ΔＲｔ无关；恒流源供电原理的测量桥路，能消除温度的影响。(5)测量桥路与温度补偿②零点温度补偿原因：克服四个扩散电阻的阻值及其温度系数的不一致造成的影响。方法：串并联电阻补偿法②零点温度补偿030201零点漂移?UB≠UD。（无压力）(如，温度T↑?R2增加较大?UB≠UD)调零补偿②零点温度补偿补偿原理解决方法一：在R2上并联一个负温度系数的电阻Rp，且阻值较大，?约束R2的变化。解决方法二：在R4上串联一个正温度系数的电阻，且阻值较大，?约束R2的变化。Rs、Rp计算方法—— 4个桥壁电阻在低温和高温下的实测数值——低高温下欲求值；1零点温度补偿234Rs、Rp计算方法要求零点温度补偿后，低、高温下，应有UB=UDC:D:设Rs、Rp的温度系数已知，则E：?常温下的ＲＳ、ＲＰF:根据温度系数、电阻值，选择电阻Rs、Rp，接入电桥。③灵敏度温度补偿测量桥路的灵敏度温度漂移原因：由于传感器压阻系数随温度变化而引起的。温度T↑?压阻系数↓?灵敏度↓；温度T↓?压阻系数↑?灵敏度↑；?传感器的温度灵敏度系数为负值。↑电源电压桥路输出↓电源电压补偿↓↑③灵敏度温度补偿方法：利用二极管ＰＮ结的负温度特性（↓1.9～2.4ｍＶ/℃）n个二极管串联在电桥的电源回路中（恒压源供电）；01.当T↑时?二极管的正向压降↓?桥压↑?桥路输出↑02.计算二极管个数n03.Ｕｏ′：传感器低温时满量程输出Ｕｏ″：传感器高温时满量程输出计算二极管个数n电源电压满量程输出常温下求得为补偿灵敏度随温度下降，桥路电压需要提高ΔＥ计算二极管个数n式中当ｎ只二极管串联时四、电远传式压力计根据测量原理分类：电阻、电容、电感、振弦式压力变送器电容式压力（差）变送器原理：压力的变