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一种基于负热膨胀效应的柔性光电探测器及其制备方法[发明专利]

一、背景技术

(1)随着科技的快速发展，光电探测器在各个领域的应用越来越广泛。传统的光电探测器通常基于半导体材料，具有响应速度快、灵敏度高和稳定性好的特点。然而，这类探测器存在一些局限性，如体积较大、机械刚性高，限制了其在柔性电子设备中的应用。近年来，柔性光电探测器的研究逐渐成为热点，旨在提高光电探测器的柔韧性和可穿戴性。

(2)在柔性光电探测器的研发中，负热膨胀材料（NTC）的应用受到广泛关注。NTC材料在温度变化时，其体积会发生变化，这一特性被广泛应用于各种传感器中。具体来说，当NTC材料与光电探测单元结合时，其温度变化可引起NTC材料体积变化，从而影响光电探测单元的性能。已有研究表明，采用NTC材料制备的柔性光电探测器在温度变化时能够实现灵敏度提升，这对于提高光电探测器的响应速度和灵敏度具有重要意义。

(3)目前，基于NTC材料的柔性光电探测器在制备方法上存在一定的挑战。首先，传统的制备方法往往涉及高温处理，容易导致NTC材料性能下降。其次，制备过程中需要精确控制NTC材料的厚度和分布，以确保光电探测器的性能。此外，为实现NTC材料与光电探测单元的高效结合，还需要优化制备工艺和材料结构。针对这些问题，研究人员不断探索新的制备方法和材料，以期提高柔性光电探测器的性能和稳定性。例如，通过采用纳米技术制备的NTC材料，可以有效降低制备过程中的温度，提高NTC材料的稳定性；同时，通过优化材料结构和制备工艺，可以进一步提高柔性光电探测器的响应速度和灵敏度。

二、发明内容

(1)本发明提供一种基于负热膨胀效应的柔性光电探测器，其核心在于采用一种新型负热膨胀材料作为传感器核心，该材料在温度变化时能够产生显著的热膨胀系数变化，从而实现光电探测性能的动态调节。该新型材料具有优异的热稳定性和机械强度，能够在高温环境下保持稳定的性能，适用于各种环境下的光电探测需求。

(2)本发明中的柔性光电探测器通过采用特殊的制备工艺，将负热膨胀材料与光电探测单元进行集成。具体而言，采用真空镀膜技术将负热膨胀材料均匀涂覆在柔性基底上，形成均匀的薄膜。然后，通过微纳加工技术将光电探测单元与负热膨胀薄膜结合，形成具有高度集成度的光电探测结构。这种结构不仅提高了光电探测器的灵敏度，还显著增强了其抗干扰能力和环境适应性。

(3)本发明提出了一种新型的制备方法，该方法包括以下步骤：首先，选择一种具有负热膨胀效应的材料，经过特殊处理形成纳米薄膜；其次，利用溶胶-凝胶法将纳米薄膜均匀涂覆在柔性基底上；接着，通过光刻技术制备出具有特定形状的光电探测单元；最后，将制备好的光电探测单元与负热膨胀薄膜进行键合，形成完整的柔性光电探测器。该制备方法操作简便，成本低廉，且易于大规模生产，为柔性光电探测器的广泛应用提供了技术支持。

三、实施方式

(1)实施本发明时，首先选取了一种具有优异负热膨胀性能的钴基复合材料作为传感器核心材料。该材料在-50℃至+100℃的温度范围内，其热膨胀系数达到-5×10^-5/℃，远高于传统硅基光电探测器的热膨胀系数。通过实验验证，该材料在温度变化时能够产生显著的形变，从而有效地调节光电探测单元的响应。

(2)制备过程中，首先采用溶胶-凝胶法制备钴基复合材料的纳米薄膜，通过优化前驱体溶液的组成和工艺参数，成功制备出厚度为100纳米的均匀薄膜。随后，利用真空镀膜技术将纳米薄膜均匀涂覆在柔性聚酰亚胺基底上，形成具有良好附着力和机械强度的薄膜结构。接着，通过光刻技术制备出尺寸为5×5毫米的光电探测单元，该单元在光照下能够产生明显的电流变化。

(3)实验结果表明，制备的柔性光电探测器在光照强度为1000勒克斯时，其灵敏度达到0.5安培/勒克斯，远高于传统硅基光电探测器的灵敏度。在温度变化为-50℃至+100℃的范围内，该探测器的灵敏度变化率仅为0.1%，表明其具有优异的温度稳定性和抗干扰能力。此外，在模拟人体皮肤的温度变化实验中，该探测器能够实时响应温度变化，为智能穿戴设备和健康监测等领域提供了有效的技术支持。