半导体的导电性.pptVIP

*4.4.1电阻率表示式混合型半导体：本征半导体：n型半导体：p型半导体：由知，电导率是杂质浓度和温度的函数。可得不同类型半导体的电阻率表示式：由关系式4.4.2电阻率和杂质浓度的关系*对于杂质补偿的材料，在杂质饱和电离温度下：若（4-63）若（4-64）4.4.2电阻率和杂质浓度的关系只掺n型杂质：只掺p型杂质：*A例题：求室温下本征硅的电阻率。若在本征硅中掺入百万分之一的硼，电阻率是本征硅多少倍？B解：C室温本征硅的载流子浓度、电子和空穴的迁移率分别为：D因此电阻率为：E4.4.2电阻率和杂质浓度的关系*4.2.2载流子的散射当长声学波和长光学波两种散射作用同时存在时，晶格振动对载流子的总散射概率为两种散射概率之和：对于不同的半导体，这两种散射的相对强弱不同:在共价结合的元素半导体中，如Si和Ge，长声学波的散射是主要的；在极性半导体中，长纵光学波的散射是主要的．*4.2.2载流子的散射其他散射机构中性杂质散射：在温度很低时，未电离的杂质(中性杂质)的数目比电离杂质的数目大得多，这种中性杂质也对周期性势场有一定的微扰作用而引起散射．但它只在重掺杂半导体中，当温度很低，晶格振动散射和电离杂质散射都很微弱的情况下，才起主要的散射作用．位错散射：位错线上的不饱和键具有受主中心作用，俘获电子后成为一串负电中心,其周围将有电离施主杂质的积累，从而形成一个局部电场，这个电场成为载流子散射的附加电场。*4.2.2载流子的散射c.等同能谷间散射：对于Ge、Si，导带结构是多能谷的，即导带能量极小值有几个不同的波矢值．载流子在这些能谷中分布相同，这些能谷称为等同能谷．对这种多能谷半导体，电子的散射将不只局限在一个能谷内，而可以从一个能谷散射到另一个能谷，这种散射称为谷间散射．*复习题:03在极性半导体中，为什么纵光学波而不是横光学波对载流子的散射是主要的？02为什么温度越高,电离杂质对载流子的散射越弱?01什么是迁移率?为什么说电子的迁移率要比空穴迁移率大?*复习：μn和μp分别称为电子迁移率和空穴迁移率。物理意义：表示在单位场强下电子或空穴所获得的平均漂移速度大小，单位为m2/V·s或cm2/V·s．迁移率*复习：散射几率随温度的变化主要取决于平均声子数，其随温度按指数上升:电离杂质对载流子的散射概率:声学波散射概率与温度的关系：*4.3迁移率与杂质浓度和温度的关系*01平均自由时间和散射几率是描述散射过程的两个重要参量，以电子运动为例来求两者关系。4.3.1迁移率的简单理论分析平均自由时间：连续两次碰撞间的时间间隔。散射几率是载流子速度的函数。先不考虑电子的速度分布，即认为电子有统一的速度。020304*添加标题（4-28）添加标题（4-27）添加标题当△t很小时，可以写为：添加标题设有N个电子以速度v沿某方向运动，N(t)表示在t时刻尚未遭到散射的电子数。则t到t＋△t时间内被散射的电子数为N(t)P△t，即：添加标题4.3.1迁移率的简单理论分析*4.3.1迁移率的简单理论分析式（4-28）的解为：（4-29）是t＝0时未遭散射的电子数。所以在t到t＋dt时间内被散射的电子数为：由于dt很小，因此这些粒子的平均自由时间为t。（4-30）*4.3.1迁移率的简单理论分析而这些粒子的总的自由时间为：（4-31）所有粒子的平均自由时间为：即:平均散射时间等于散射几率的倒数。*4.3.2电导率、迁移率与平均自由时间的关系根据载流子在电场中的加速以及它们的散射，可导出在一定电场下载流子的平均漂移速度，从而获得载流子的迁移率和电导率的理论式。设沿x方向施加电场E，且电子具有各向同性的有效质量令在t＝0时，某个电子恰好遭到散射，散射后沿x方向的速度为，经过时间t后又遭到散射，在0~t时间内作加速运动，第二次散射前的速度为：（4-32）*这些电子的总的漂移速度为:而这个电子获得的漂移速度为：4.3.2电导率、迁移率与平均自由时间的关系由于在t~t+dt时间内受到散射的电子数为：*对所有时间积分就得到N0个电子漂移速度的总和。再除以N0即得到平均漂移速度：添加标题假定每次散射后v0的方向完全无规则，多次散射后v0在x方向分量的平均值应为零，即：添加标题4.3.2电导率、迁移率与平均自由时间的关系添加标题（4-33）添加标题*再利用4.3.2电导率、迁移率与平均自由时间的关系式中?n表示电子的平均自由时间。（4-