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二维材料交叉阵列忆阻器件的制备与测试

一、引言

随着科技的发展，电子设备对于信息存储和处理的需求不断提升，尤其是在电子计算机领域中，由于高密度的存储和计算要求，新的器件架构被迫切需求。在这种背景下，忆阻器件，一种可以以存储记忆为核心的新型非易失性电子器件，得到了广泛的研究和应用。尤其是二维材料交叉阵列忆阻器件，由于其独特的性能和潜力，更是受到了科研工作者的青睐。本文将重点探讨二维材料交叉阵列忆阻器件的制备与测试过程。

二、二维材料交叉阵列忆阻器件的制备

（一）材料选择

首先，我们需要选择适合的二维材料。在众多二维材料中，过渡金属硫化物（TMDs）由于其独特的物理和化学性质，被广泛用于忆阻器件的