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*多晶电池生产工艺流程目录一、太阳电池简介二、太阳电池生产工艺太阳能电池,又叫光生伏打电池,它是以半导体材料为基础的一种具有能量转换功能的半导体器件,是太阳能光伏发电的最核心的器件。太阳电池是一种对光有响应并能将光能转换成电力的器件。太阳电池简介一、太阳电池简介一、太阳电池简介太阳电池分类一、太阳电池简介晶体硅电池—单晶硅一、太阳电池简介晶体硅电池—多晶硅电池硅太阳能电池工作原理硅的掺杂半导体硅原子外层有4个电子,按固定轨道绕原子核转动。当受到外来能量作用时,这些电子会脱离轨道成为自由电子,并在原来位置形成一个“空穴”。如果硅中掺入硼,镓等元素,由于这些元素可捕获电子,就形成空穴半导体,用P表示。如果掺入可以释放电子的磷,砷元素,就形成电子型半导体,用N表示。一、太阳电池简介硅太阳能电池工作原理01P-N结02P型半导体和N型半导体结合,交界面会形成一个P-N结,形成P-N结内电场,阻碍着电子和空穴的移动。03一、太阳电池简介一、太阳电池简介首先是P-N结附近的电子和空穴发生扩散运动:N型区域的电子向P型区域扩散,相对于P型区域的空穴向N型区域扩散。一、太阳电池简介在界面层附近,由于电子和空穴的迁移,就会使N区域呈现正电性,而P区域呈现负电性。于是形成一个由N区域指向P区域的内电场。硅太阳能电池工作原理01光生伏特效应02太阳光照在半导体P-N结界面层上,会激发出新的空穴-电子对,在P-N结电场的作用下,在P-N结内部空穴由N区流向P区,电子由P区流向N区,接通电路后就形成电流。我们把这种效应叫做“光生伏特效应”,也就是太阳能电池的工作原理,因此,太阳电池又称为“光伏电池”。03一、太阳电池简介二、太阳电池生产工艺太阳电池生产工艺流程二、太阳电池生产工艺工序一,硅片清洗制绒:原理:利用硝酸的强氧化性和氢氟酸的络合性,对硅进行氧化和络合剥离,导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀,从而形成类似“凹陷坑”状的绒面。目的——HNO3对硅表面氧化,打破了硅表面的Si2H键,使Si氧化为SiO2,然后HF溶解SiO2,并生成络合物H2SiF6。从而导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀,形成的半球状的绒面,有利于减少光反射,增强光吸收。Si+HNO3→SiO2+NOx↑+H2OSiO2+6HF→H2SiF6+2H2O二、太阳电池生产工艺硅片的单/双面液态源磷扩散,制作N型发射极区,以形成光电转换的基本结构:PN结。POCl3液态分子在N2载气的携带下进入炉管,在高温下经过一系列化学反应磷原子被置换,并扩散进入硅片表面,激活形成N型掺杂,与P型衬底形成PN结。主要的化学反应式如下:OCl3+O2→P2O5+Cl2;P2O5+Si→SiO2+P二、太阳电池生产工艺工序二,扩散/制结:二、太阳电池生产工艺二、太阳电池生产工艺去除扩散后硅片周边形成的短路环;工序三,等离子刻边:二、太阳电池生产工艺二、太阳电池生产工艺二、太阳电池生产工艺工序四,去除磷硅玻璃:去除硅片表面氧化层及扩散时形成的磷硅玻璃(磷硅玻璃是指掺有P2O5的SiO2层)。二、太阳电池生产工艺工序五,PECVD:目的——渡减反射膜+钝化:PECVD即等离子体增强化学气相淀积设备,PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition;制作减少硅片表面反射的SiN薄膜(~80nm);反应气体为SIH4和NH3二、太阳电池生产工艺二、太阳电池生产工艺工序六,丝网印刷:用丝网印刷的方法,完成背场、背电极、正栅线电极的制作,以便引出产生的光生电流;工艺原理:给硅片表面印刷一定图形的银浆或铝浆,通过烧结后形成欧姆接触,使电流有效输出;正面电极用Ag金属浆料,通常印成栅线状,在实现良好接触的同时使光线有较高的透过率;背面通常用Al金属浆料印满整个背面,一是为了克服由于电池串联而引起的电阻,二是减少背面的复合;二、太阳电池生产工艺*
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