缺陷型半导体基底的光学性质调控及其在SERS检测中的应用研究.docxVIP

缺陷型半导体基底的光学性质调控及其在SERS检测中的应用研究

一、引言

随着纳米科技和材料科学的飞速发展，缺陷型半导体材料因其独特的物理和化学性质，在光电器件、能量转换、传感器等多个领域展现出了广泛的应用前景。特别是在表面增强拉曼散射（SERS）检测中，缺陷型半导体基底因其表面等离子体共振效应和光子-电子相互作用，成为了一种极具潜力的增强基底。本文旨在研究缺陷型半导体基底的光学性质调控及其在SERS检测中的应用。

二、缺陷型半导体基底的光学性质

缺陷型半导体基底是指在其晶体结构中存在一定数量和类型的缺陷或杂质的半导体材料。这些缺陷或杂质的存在，使得材料具有独特的电子结构和光学性质。当光照射到缺